在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 22546|回复: 15

[求助] 关于DDR2 ODT功能的疑惑

[复制链接]
发表于 2013-7-25 10:01:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
DDR II中加入了ODT功能,即是将终结电阻设于内存芯片内,当在DRAM模组工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM模组则进行终结操作,起到减少信号反射的作用

ODT

ODT

但是对于DDR 内存颗粒,在进行写操作时,需要打开数据线上的ODT功能,这样与之前工作的DDR要关闭终结电阻器是否矛盾啊?
发表于 2013-7-27 16:37:50 | 显示全部楼层
不明,马克,路过
发表于 2013-8-2 23:13:02 | 显示全部楼层
同求ING
发表于 2013-8-14 11:01:33 | 显示全部楼层
强力顶起
发表于 2013-8-15 21:12:31 | 显示全部楼层
强力顶起
发表于 2013-8-15 21:13:36 | 显示全部楼层
强力顶起
发表于 2013-8-15 21:14:42 | 显示全部楼层
强力顶起
发表于 2013-8-20 12:38:41 | 显示全部楼层
简单来讲,ODT是为了改善信号在输入端的SI性能。
所以需要具体了解问题中的两个定义的区别:“模组”“颗粒”。
“模组”通常代表同一根数据线物理连接到多于一个DRAM颗粒;而“颗粒”代表同一根数据线之对应一个DRAM颗粒。
基于以上定义,我们可以试想下,如果同一根数据线上面有多以一个同时ODT在工作,对信号会有什么影响?
这样就会自然得到该如何去做。(问题中的说法只是一种可行方案,但不是唯一)
发表于 2013-9-22 10:21:33 | 显示全部楼层
回复 1# suk_jin


   不记得DDR2的ODT具体是怎么样了,提供一下DDR3的ODT方案作为参考。
   DDR3有两个端接阻值RTT_NOM和RTT_WR,这两个阻值由控制器预先设置好。

   前者为内存不工作时的端接电阻,注意到这时同一通道内其他rank上内存颗粒可能在工作,所以虽然当前内存颗粒不工作,端接还是必要的;
   后者是内存处于写状态时的端接电阻,这时内存颗粒是信号接收端,需要进行端接;
   至于读,由于内存颗粒是信号的发送端,所以不需要端接,这时候ODT必须关闭。

   可以看一下DDR的规范,上面有专门一章讲ODT的
发表于 2013-9-24 14:51:49 | 显示全部楼层
没有明白楼主的疑问哦
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-19 05:26 , Processed in 0.024903 second(s), 12 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表