Charge Pump的飞电容可以用mos管做电容吗？

扑火 · 发表于 2013-6-19 20:11:35

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请教做过ChargePump的朋友，飞电容只用MIM电容吗？有用MOS管做飞电容的吗？
现在为了节省面积，想用PMOS管实现飞电容，是否可行？
如果可以的话，还有下面两个问题：
1）如果用PMOS管做电容，Nwell和Psub之间的反偏二极管的影响有多大？电容值该怎么估算？
2）进一步，是否可以采用MOS电容上面盖MIM电容的方式？这样更省面积。。。
第一次做没有经验，先感谢了。

扑火 · 发表于 2013-6-20 10:10:22

顶一下，等高手解答！

xushuainju · 发表于 2013-6-20 11:08:58

不知道什么叫飞电容，但是实际电路中MOS管是经常被用于取代MIM cap的，节省超级大的面积。MIM cap一般只用在要线性度好的地方吧，而且可能要额外的mask的，都是钱啊。反偏二极管应该只提供一个相对数量级很小的对地电容。

扑火 · 发表于 2013-6-20 14:41:40

不知道什么叫飞电容，但是实际电路中MOS管是经常被用于取代MIM cap的，节省超级大的面积。MIM cap一般只用在 ...
xushuainju 发表于 2013-6-20 11:08

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谢谢！我说的飞电容就是指的充电电容。

fairyline · 发表于 2013-6-20 15:28:58

回复 4# 扑火

所谓的飞电容，应该是指"飞在"片外的外置电容。
电容值比较大，在芯片内部不能实现，才采用外置的电容。

shikaicool · 发表于 2013-6-20 19:16:08

可以的，可以省面积！

扑火 · 发表于 2013-6-21 09:23:43

回复 6# shikaicool

请问，在用mos电容的时候是否考虑反偏二极管寄生电容的影响？怎么评估这个影响？

semico_ljj · 发表于 2013-6-21 12:48:19

保证压差就行

扑火 · 发表于 2013-6-21 13:28:18

回复 8# semico_ljj

你说的mos的阈值吗？这个我知道
关于那个反偏二极管呢问题，您了解吗？

semico_ljj · 发表于 2013-6-21 14:12:08

你是利用栅氧层的Cap，MOS 栅接高，S，D，B都接地，寄身diode就没有影响，给屏蔽掉了。

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