如何进一步降低LDO的温漂

hydts1991 · 发表于 2013-6-5 15:00:46

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参考电压450mv-700mv
运放是自己仿真的，电流镜+差分管
现在0-100温度扫描差值大概2mv不到
用什么方法可以进一步降低温漂？
新手发帖求助，困扰很久了。。
感谢~！

silverpuma · 发表于 2013-6-8 14:19:28

回复 1# hydts1991

为什么还要降低？？目的是啥？

dada363324 · 发表于 2013-6-10 00:25:02

2 mv的话应该做了很多高阶补偿。

或者更大可能是你根本没仿对

hydts1991 · 发表于 2013-6-11 17:06:06

回复 3# dada363324

运放有一个相位补偿，
最后做了ESR电阻补偿
是不是和输入电压范围也有关系？
450mv附近的时候PMOS还没到饱和区吧
如果能做到LDO温漂与输入几乎无关的话，
这个结果也可以接受

math123 · 发表于 2013-6-13 00:30:53

LDO的温漂和精度主要是由bandgap决定的
这个2mV肯定是TT理想下的结果，还不包括失配和cornor的影响

gubels · 发表于 2013-6-15 01:15:32

回复 1# hydts1991

resisgood

hydts1991 · 发表于 2013-11-28 11:04:46

回复 5# math123

谢谢提醒，
ref那部分的确用的是理想值，
bandgap还没加进去

loopgain · 发表于 2014-1-10 17:35:10

进行trimming

peleGuo · 发表于 2014-5-16 17:26:21

试试改进温度补偿

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