mos管中scc，sca和scb代表什么参数

kinglij · 发表于 2013-1-20 21:27:55

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如题，以前电路生成的网表中通常都只有ad，as，ps，pd等，现在出现了scc，sca和scb，电路提取值与版图提取相差很大，导致后仿结果与前仿差异很大，求助大神们，这几个参数代表什么意义，与哪些参数有关？

hezudao · 发表于 2013-1-21 00:41:57

Sti或者ose，记不清哪个了

xushuainju · 发表于 2013-1-21 13:02:59

没记错的话是od到well边沿的距离，应该是应力或者掺杂浓度梯度的函数因子，具体去查文档关于WPE effect 的部分。对vth的影响大概会有50到100mv的样子，如果差别太大的话需要检查一下schematic的提取参数，没设好会出问题。

kinglij · 发表于 2013-1-22 17:38:10

回复 3# xushuainju

确实是跟阱有关，但是不知道你指的od是什么意思？现在仿真发现，同一个PMOS管，如果衬底的contact 孔放在上下和左右而提取出来的sca参数会有差异，对于正比管，差异不大，引起的阈值变化也在10mV以内；但是对于倒比管，sca的差异会特别大，阈值变化超过100mV。你指的wpe effect在什么文档中可以查到？

nool · 发表于 2013-3-19 09:46:16

google 到了

Table 52 Well-Proximity Effect Model Parameters Parameter
Description
Default Value
Unit

SCA
Integral of the first distribution function for scattered well dopant
0


SCB
Integral of the second distribution function for scattered well dopant
0


SCC
Integral of the third distribution function for scattered well dopant
0


SC
Distance to a single well edge
0
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