mos电流随温度关系？

ikey

我试着分析下，不一定对啊，首先需要考虑管子工作的bias circuit，根据Idsat=UC(W/L)(Vgs-Vth)^2，温度与迁移率U，阈值电压Vth均是负温度关系，即T增大，另一个减小。
     情况1.当饱和电压较大，Vgs>>Vth,Vth温度关系忽略，Idsat与温度是负关系。
     情况2.当饱和电压较小，Vgs~Vth，Idsat与温度是正关系。
     对于一般的MOSFET，模拟电路中为了获得较大的跨导，往往把bias circuit饱和电压(Vgs-Vt)选取得较大，因此可以不考虑阈值电压的影响，于是饱和源-漏电流通常都具有负的温度系数。
     其次，数字电路中需要考虑工艺对管子的影响，90nm工艺以上温度增大，管子迁移率减小，FET导通电阻增加，电流减小，delay增大，PVTmax是Worst Corner。但是65nm以下工艺出现温度反转效应（见下图），当温度降低，delay增大，Worst Corner不再是PVTmax，而可能是PVTmin，迁移率增大（fast switching），Vth增大（slow switching），需要考虑迁移率，Vth等因素，看哪个更占主导地位，温度的增大，可能导致电流增大，或减小，这里需要具体分析，保守的做法是分析timing时cover到这两个情况。

温度反转效应

温度反转

gelu

学习了

nankaizy

温度升高，迁移率下降，阈值电压也会下降，仿真一下比较好。但是感觉电流是与温度成正比的，以前好像看到有书上说，器件加入寄生电阻，就是防止温度_电流的正反馈，导致器件被烧毁

davidzhr

温度高，漏电流就大了。。

sara9233

回复 11# ikey


   的确是，最近就有遇到这个问题

zhanghjok

学习了

sonnt

Increase the temperature, the current Increase.
In the Same condition:
T = 27

T = 27	T = 125
ID1 0.000E + 00 1.216E-13 2.220E-13 3.221E-13 4.221E-13 5.221E-13 6.221E-13 7.221E-13 8.222E-13 9.222E-13 1.022E-12 1.122E-12 1.222E-12 1.322E-12 1.422E-12 1.522E-12 1.622E-12 1.722E-12 1.822E-12 1.922E-12 2.022E-12 2.122E-12 2.222E-12 2.322E-12 2.422E-12 2.522E-12 2.622E-12 2.722E-12 2.822E-12 2.922E-12 3.022E-12 3.122E-12 3.223E-12 3.323E-12	ID1 0.00E + 00 3.04E-11 3.22E-11 3.24E-11 3.25E-11 3.26E-11 3.27E-11 3.29E-11 3.30E-11 3.31E-11 3.32E-11 3.33E-11 3.35E-11 3.36E-11 3.37E-11 3.38E-11 3.39E-11 3.40E-11 3.42E-11 3.43E-11 3.44E-11 3.45E-11 3.46E-11 3.47E-11 3.48E-11 3.49E-11 3.51E-11 3.52E-11 3.53E-11 3.54E-11 3.55E-11 3.56E-11 3.57E-11 3.58E-11

qiushao

有钱人 啊爱谁谁的

hupo199131

学习了

spisme1992

掃個溫度變化看看就知道了阿