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[求助] 串联结构中mos管的工作状态

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发表于 2012-8-16 09:49:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 xiaota 于 2012-8-16 09:57 编辑

circuit.jpg 我认为M1和M2一定工作在线性区,对吗
发表于 2012-8-16 10:50:29 | 显示全部楼层
是的,手推可以得出这个结论。
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发表于 2012-8-16 11:57:46 | 显示全部楼层
这个不难推吧,在超低功耗的设计中比较常见
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发表于 2012-8-16 14:29:38 | 显示全部楼层
回复 2# kupen


   为什么啊?M3一定工作在饱和区是吗?
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发表于 2012-8-16 15:02:29 | 显示全部楼层
回复 1# xiaota


    把M1,M2,M3看成一个管子M,M肯定在饱和区。
M在饱和区,那么反型层肯定在M3截断,M1,M2从源到漏都有反型层,所以M1,M2肯定在线性区,M3肯定在饱和区。
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 楼主| 发表于 2012-8-16 15:09:26 | 显示全部楼层
回复 5# 小草


    我是根据VDS和VGS、Vth的关系推的。你这解释简洁
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发表于 2012-8-16 15:28:41 | 显示全部楼层
如果用公式推的话,我很快就晕了。
我是这样想的,假设MOS管导通,这是前提。如果VG-VD>VTH,MOS管在线性区,因为VGD超过阈值电压,在MOS管漏端附近的沟道形成了反型区。反之,MOS管在饱和区,因为VGD小于阈值电压,在漏端附近不足以形成反型区。图中三个管子都可以这样分析。
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发表于 2012-8-16 15:40:30 | 显示全部楼层
一个管子的L,沿沟道切成三块,就是三个管子串联了啊
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 楼主| 发表于 2012-8-16 16:24:50 | 显示全部楼层
回复 7# 小草

我是这样想的:
电压通过电流源提供合适的偏置电压va
      M3是二极管连接,一定饱和。va-vb>Vth3
假设M2饱和,则vb>va-Vth2,得出va-vb<Vth2。这就矛盾了,因此假设错误,M2只能工作在线性区。
    同样可以先假设M1工作在饱和区,则vc>va-Vth1。对于M2,va-vc>Vth2,得出vc<va-Vth2,还是得出矛盾。
因此M1也只能工作在线性区。
circuit.jpg
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发表于 2012-8-16 19:54:32 | 显示全部楼层
学习学习  呵呵
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