有做过Voice Coil Motor Driver(VCM Driver)音圈马达驱动电路的吗？

jianbinma · 发表于 2012-4-19 23:12:13

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如题，有做过这个驱动电路的吗？有没有什么相关资料能分享一下，谢谢了。

protose · 发表于 2012-4-20 11:10:48

做过手机CCM的 VCM driver，12bit 控制，具有50mV的输出饱和压降，有什么需要交流的？

jianbinma · 发表于 2012-4-20 21:48:43

回复 2# protose

看到一些报告说这个饱和压降越小越好，不解其中原因，另外对于VCM Driver中的DAC一般都有什么要求，以前没做过，刚开始接触，烦请高手能详细说明，先谢谢了！

shanmei · 发表于 2012-4-21 16:42:27

你准备用啥样的dac去做呢
哈哈

protose · 发表于 2012-4-24 11:50:02

饱和压越低，VCM的应用范围就越宽，尤其是在手机这类应用当中。内部的DAC嘛，一般分辨率能够达到12bit就可以了。

jianbinma · 发表于 2012-4-25 16:36:15

回复 5# protose

准备采用current steering DAC 10bit,I2C接口控制，看到现在大部分芯片都把Rsense 做到了片内，这个电阻一般用什么类型的电阻做呢，因为片内电阻的精度随工艺条件变化范围还是比较大的。另外那个用于驱动NMOS管的OP有什么讲究呢，昨天刚搭了一个简易电路，发现当输出电流为最小（我们设计指标为100uA--123mA，100uA/LSB)时，OP和NOMS构成的环路增益很低，造成输出电流和设计值100uA相差较大。因为NMOS管是源跟随结构，增益小于1，是否意味着前面的OP一定要将增益做的很高。
唉，问题很多啊，不知道如何下手。请高手一定不吝赐教啊。

jianbinma · 发表于 2012-4-25 16:38:23

另外有没有相关的文章或者资料可以共享一下，谢谢了

protose · 发表于 2012-5-15 11:21:25

Rsense一般采用温度系数小的电阻，可以用poly电阻来做，要求foundry把这个电阻的精度控制在一定的范围内，比如15%，最后的产品在成测的时候来trim调整输出电流。OP要求输入电压低，offset小，带宽低，增益有个60~80dB就可以啦。NMOS的版图要求高点，ESD要做好的。

jianbinma · 发表于 2012-5-16 23:23:01

回复 8# protose

嗯嗯，谢谢啦，对于那个NMOS,版图设计时应该就要按照ESD相关的规则去做了，和普通NMOS的设计规则都不同，刚了解到。对于Rsense，为了达到小的饱和压降（目标：120mv@100mA)，Rsense暂定取值0.5ohm，但是因为我们所采用的工艺原因，POLY电阻的方块阻值比较大，实现0.5ohm有难度啊，难道搞N个并联？另外，版图中的金属寄生电阻应该影响也不小，应该也要考虑在内。我总觉得很难保证输出电流的绝对精度，但是输出电流在所有DAC输入码值范围内的单调性应该是一定要保证的。另外，关于芯片输出端Iout和电源VDD之间的ESD保护有什么特别吗？加一个反偏二极管就行吗？问题还很多，呵呵，目前项目正在进行中，希望能顺利流片。如有设计中需特别注意的地方，还请前辈不吝赐教，先谢过了。

protose · 发表于 2012-5-30 15:20:19

反偏二极管的版图需要注意，避免latch up

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