高方阻值的poly电阻

DruculaC · 发表于 2012-3-22 13:45:30

回复 9# semico_ljj

那个GPsab就是poly电阻。。

DruculaC · 发表于 2012-3-22 13:51:28

回复 10# fuyibin

你说的是不是MS，LO等工艺，如下表所示。但是我用的是EE工艺，我怀疑是不是hrpoly用来做EEPROM的栅极了。所以导致没有高阻poly了。。。

fuyibin · 发表于 2012-3-22 14:08:25

回复 fuyibin

你说的是不是MS，LO等工艺，如下表所示。但是我用的是EE工艺，我怀疑是不是hrpoly用 ...
DruculaC 发表于 2012-3-22 13:51

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原来这样啊，我用mixed signal的，eeprom的就不知道了
这个poly应该只是做 salicde block 但是没有做implant block
所以这个应该还是 P+ or N+ poly，方块电阻自然就很小

DruculaC · 发表于 2012-3-24 10:10:21

回复 13# fuyibin

看来是这样的了，我要悲剧鸟。。。

fuyibin · 发表于 2012-3-24 10:18:21

回复 14# DruculaC

trim res是什么电阻，建议你仔细读design rule，搞清楚这些电阻类型，看看需不需要多用mask

DruculaC · 发表于 2012-3-27 10:12:33

回复 15# fuyibin

需要多用mask，不过EEPROM总是要用的，所以也还好。

wufuwei · 发表于 2012-3-27 10:48:56

好像是有高阻的

yeshengseu · 发表于 2014-5-23 20:43:41

加上SAB后既然方块阻值变那么大，看来片外trim res还是不能加SAB了，foundry没提供片外trimming rule真头疼啊......下周就TO了......

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