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楼主: zjwu508

[讨论] LDO密勒补偿的问题

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发表于 2011-12-22 16:08:55 | 显示全部楼层
减小带宽可以将复极点置于带宽之外
 楼主| 发表于 2011-12-23 18:17:13 | 显示全部楼层
回复 31# math123

多谢啊 这资料不错
 楼主| 发表于 2011-12-23 18:18:36 | 显示全部楼层
回复 28# xiaowanzi88


   已经下到了。
 楼主| 发表于 2011-12-23 18:21:08 | 显示全部楼层
回复 32# loopgain


  带宽很难减小了,基本已经做到极限了,另外 共轭处会出现共振峰,这个会超过0DB,很麻烦。 在相位上升的情况下,即使共轭极点在带宽以外 也会震荡
 楼主| 发表于 2011-12-23 18:22:21 | 显示全部楼层
另外咨询一下 1u的陶瓷电容 等效串联电阻有多大?
发表于 2011-12-23 18:57:50 | 显示全部楼层
回复 36# zjwu508


看你应用成本,普通的1u有10-15m,留余量按50mr算
 楼主| 发表于 2011-12-23 19:23:49 | 显示全部楼层
回复 37# mk2003


   好小啊 , 在仿真时 寄生效应出了考虑ESR,是不是还要考虑PAD的寄生电容 banding线的电阻和电感吗? 这些分别有多大
发表于 2011-12-23 19:45:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 mk2003 于 2011-12-23 19:47 编辑

不小了,再大点做dcdc 要哭了。。。现在新材质貌似可以做到1000u 1mr, gx580都是这种。bangap那个不用吧,你bangap不可能和ldo放对角吧,如果外界电容pad要考虑。不过那个值不大的话和esr互相抵消,仿的时候取个最大值。
发表于 2011-12-25 22:34:07 | 显示全部楼层



zjwu508 兄,方便分享這篇專利的專利號碼給大家嗎?
发表于 2011-12-29 15:32:01 | 显示全部楼层
是这篇吧

实用新型专利授权公告说明书CN200920149710 5 .pdf

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