为什么是PTAT电流源？

wxwttf · 发表于 2011-11-25 11:37:21

回复 30# shikaicool

TC 不同，一个正比，一个零温漂

zhanqing1215 · 发表于 2011-11-25 13:50:47

温度升高,迁移率是变大了,可是你知道半导体物理里面非平衡载流子浓度降低的问题吗?PTAT基准产生技术主要是来消除电阻对温度的相关性的,请仔细看RAZAVI的第11章,里面带隙基准说得非常清楚

tsai2 · 发表于 2011-12-5 23:23:58

回复 1# hym4063

POSITIVE TEMPERATURE COFFICIENT

mengrongzhou · 发表于 2015-9-29 10:49:44

回复 19# smilelangjun

温度上升的时候，VTH也是下降的

SHAOJIHUA1234@1 · 发表于 2016-7-11 16:16:53

,学习中

griffinseu · 发表于 2016-7-20 19:25:55

学习了，学习了。

guodongmalatang · 发表于 2016-9-23 21:00:05

回复 17# ives

半导体物理里面有讲迁移率跟晶格散射和杂质散射有关，温度比较低时，随着温度的升高，杂质逐渐电离，但是还是不是很多比不上温度对迁移率的影响，所以上升。后面温度都越来越高，迁移率主要跟杂质电离数目和本征载流子的晶格振动相关了，所以迁移率降低

guodongmalatang · 发表于 2016-9-23 21:06:03

回复 32# zhanqing1215

不是温度上升迁移率先变高后变小，刘恩科的半导体物理有讲，有个专门的公式的

fh6413326 · 发表于 2016-9-24 00:16:28

哇一个小小的问题有这么大学问学习了多谢各位
个人比较赞同用PTAT比较容易抵消电阻，VTH,VBE什么的温度提醒，没太多必要做零温。

yinqiang521 · 发表于 2016-12-6 17:17:02

回复 4# waliley78751

为什么低噪放偏置电路采用PTAT电流源而不采用与温度无关的带隙基准源？

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