请教EEPROM设计高手

whales

本人最近在做一个EEPROM电路设计项目，由于工艺厂只提供了进过“擦”或者“写”操作的MOS管仿真模型，利用模型可以仿真“读”操作结果。而对于“写”和“擦”操作如何仿真呢？难道只是看看作用于存储单元的各个端口电压是否正确就可以了吗？急切期待高手的指点！

silentboy1218

同问，请问楼主的问题解决了吗？

过路心客

楼主的理解没错，看各端口电压就可以了。charge pump要加一个负载。

whales

回复 3# 过路心客

谢谢您的回复，但是我还想请教你一下，如何仿真擦或者写操作，是否将存储单元去除才能仿真呢？

过路心客

是的，一般cell没有擦除用的model，仿真时不用加 cell array

silentboy1218

回复 5# 过路心客
请问single poly EEPROM 的CELL单元的读写操作应该如何仿真？这种结构的CELL单元是用两个电容连接在一起，比如将两个PMOS管以电容方式相接，两个管子的栅端相连，来模仿浮栅结构。
但不知道这种结构怎么去仿真它的读写操作？

wusenlin

期待问题解决，，，

过路心客

回复 6# silentboy1218

这种cell没有用过，其实也没见过。我想提供这种cell的技术方应该要提供写cell时其相应的端口需求吧，真正去建模型还是比较困难的；读取的模型应该好建一些，没有模型至少有电参数，SA电路通常是和reference cell去比的，模型不准问题不大。

silentboy1218

回复 8# 过路心客

谢谢你的回答。因为这种以两个电容连接方式的mos管模仿浮栅管，可以用标准的cmos工艺实现，可以节约成本。有文献报道过这种结构的EEPROM，但都没有讲这种CELL在相应的端口上加多大电压进行读写操作的模拟仿真。所以很困惑。

过路心客

回复 9# silentboy1218
我猜想你所描述的是一种标准逻辑工艺下实现的NVM，比如chings 的 MTP。理论上的确可以实现，因为它兼容标准工艺，流片成本低，所以有它的应用市场。可一方面它的性能往往没有真正的EEPROM或eFlash好，另一方面单元面积比较大，容量大一些时就并不合算了。所以目前的应用并不广泛。
这种cell的擦写电压和擦写后cell的特性，要去作实验尝试。一般情况下擦写电压要大于7V，擦写时间会比较长（数十毫秒数量级以上），这导致它受限于工艺的击穿电压，不是每个标准工艺上都可以调试成功的。
paper上讲原理比较简单，可实际上工程上真正作出来不是件容易的事。