关于MOS管进入饱和区后电流的流向问题

jiangyanjin

   

车开快了，有个小沟小坎的也能冲过去啦~~~~
USTM 发表于 2009-10-13 14:52

                               
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这个比喻不错！

sean_4413

8# lgy737

学习了，谢谢！

hdkj314

电子到那个位置就直接拉过去了

floppish

我映像中是被电场扫过去的，3年前的映像了

tjjbraye

看看半导体物理吧，电子到这里是被电场拉过去的
以夹断点为限
在夹断前是扩散过程
夹断后是漂移过程

wind2000sp3

我想楼主想问这个问题：耗尽层中的自由电荷既然被束缚（或者释放）了，或者说自由载流子已经复合了，那么耗尽层到底是个什么东西，导体还是绝缘体？
回答这个问题还要从半导体物理的原理说起，半导体有三个能带：导带、价带和禁带。当价带内的载流子获得足够的能量后越过禁带到达导带，从而成为载流子。获取能量的方法据我所知有两种：1. 热能，增加晶格震动；2. 电动势能，也就是电场，使载流子在一个扩散长度内能够被持续加速。在耗尽层中，几乎所有的载流子都被禁锢在晶格之中，换句话说，价带的能级已经被填满了。这么多的载流子没有获得足够的能量，不能越过禁带。同时，形成内建电场。所以，这个状态下耗尽层是被认做绝缘体的；
但是，当耗尽层内所有的n型半导体已经释放出自由电子，同时p型半导体已经复合自由空穴时，价带内的所有能级已经被填满了。所以这时候如果有多余的电子（或者空穴）到达耗尽层时，已经不能进入晶格，也就是说不能进入价带从而获得更低（也就是更稳定）的能级了。内建电场可以对该电子进行加速，由于没有了价带的影响，电子的加速长度已经不是一个扩散长度了（而是整个耗尽层厚度），所以电子很容易获得足够的能量而达到导带，从而成为自由电子。也就是说，当耗尽层形成以后，多余的自由电子（空穴）可以在耗尽层内沿电力线方向移动。说白点，多余的电子（空穴）会把耗尽层当成导体。问题就在于如何形成多余的电子（或空穴），答案就是bjt中基区的少子渡越和CMOS中多子在沟道场中的漂移。
对这个物理现象的建模时非常困难的，恕我浅薄，我直到研究生毕业的时候也没听说过谁能对耗尽层提出一个靠谱的物理模型（师敏好像也没有耶）。我们这个论坛的童鞋们都是研究电路的，很少关心半导体物理这么基础的理论，所以你们的老师教你们的时候（或者相关书籍阐述该现象时）不想在这上面浪费太多的时间。本人也是搞电路的，由于好奇才没有把当初老师交给我的东西还给他老人家（在此谢过了！），如果论坛里有研究器件模型的一定能比我解释得专业得多。

weir.sj

夹断只是耗尽层变宽导致的啊，就跟双极型晶体管的工作类似啊

ncLM

16# wind2000sp3

这个比较深入和透彻，顶一个吧

pkf690801

加断点处电压是vgs-vthn，从加断点到漏端电压是vds-vgs+vthn，正是这个电压把从源端流到夹断点的电子迁移到漏端， 故电流基本保持不变

梧桐

可以直接过去啊