芯片温度分析问题

doom2011 · 发表于 2014-12-18 10:41:03

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

有没有人关心过，芯片短路电流导致功耗增加，引起的温度升高速度问题？

semico_ljj · 发表于 2014-12-18 13:16:46

具体一些。

doom2011 · 发表于 2014-12-18 15:09:44

比如短路导致的内部功耗高达3W，die到环境的热阻为40度/W,理论上温度最高会升到：环境温度+120度，我想知道这个温度上升时间大约多长。按热容的概念算了一下，热容基本是mJ/摄氏度级的，理论上温度上升速度应该不会很快（ms级），是这样分析吗？

doom2011 · 发表于 2014-12-18 16:16:22

想对芯片内部功耗过大时，die的温度特性有个量的了解，会不会输出短路大电流时，芯片温度升高太快，导致过温保护来不及启动芯片就热损坏

doom2011 · 发表于 2014-12-18 17:32:16

有了解这一方面的大神吗，指导一下啊

hszgl · 发表于 2014-12-18 17:35:06

如果觉得过温保护反映不够快，就再整个过流保护呗。
实际上，单纯而短暂的温度过高（<300度）并不会影响太多，更多的是某区域内电流密度过大导致导线熔断而损坏芯片。

doom2011 · 发表于 2014-12-18 18:22:31

谢谢回复，还是想给自己上面的分析下个结论，是否可以根据热容大小确定温升速率。如果这样，那温升速率就不会太快的

hezb · 发表于 2014-12-18 21:30:20

芯片温度会迅速增加

孙园杰 · 发表于 2014-12-18 22:20:01

硅的比热容 700J/(kg*K),0.171卡/(g*K)
硅的密度 2.34g/cm3=2.34g/1e-6*m3
设硅片厚300u=0.3mm
5mm*4mm*(0.3mm)=6e-9的质量是2.34g*6e-9/1e-6=14.04mg就假设是10mg吧
升高120C需要 Jtot=700J/(kg*K)*10e-3(g)*120(K)=0.84J
3W的功率，需要时间是0.84/3=0.26s。
我也真够无聊的。
输出就算短路，内部电路要将电流限制在某个范围内才能保证可靠性。

doom2011 · 发表于 2014-12-19 16:11:05

怎么能说无聊呢，哈哈，谢谢解答

[讨论] 芯片温度分析问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /1