480M pll 版图后仿真和前仿差别很大的问题

asdfjkl · 发表于 2009-5-13 08:48:23

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用SMIC018工艺设计的电荷泵结构的480M PLL，VCO用的环形震荡器，结构版图后仿真发现VCO和前仿差别很大，比如同样1.3v 控制电压下，前仿500M，后仿真只有300M，我已经将每级布线延迟尽量减小了，但还是不理想。不知是不是SMIC model问题，还是本来就应该这样，我设计余量留小了？

heweyou · 发表于 2009-5-13 09:13:15

是LC的还是Ring的？如果LC的500MHz掉到300，好像是你的版图有点问题
一般前后防100MHz左右，不过不排除Model的准确度。

asdfjkl · 发表于 2009-5-13 11:15:19

是ring的，发现每级联线作屏蔽时，致使寄生电容有点大。但也不至于差这么多。SMIC mos model对较高速应用应该很成熟吧？

shangyouqiang · 发表于 2009-5-13 12:40:18

死亡率很高呢

ipmsn5 · 发表于 2009-5-14 13:20:08

Model 是没有问题的，我们都用了那么多年了，你自己看一下屏蔽线贡献了多少电容，然后每个stage的推动能力是多大，

要是你的屏蔽都有50f F 了，然后你的MOSFET都很小，那就不行了。

bitcat · 发表于 2009-5-14 13:28:16

原帖由 asdfjkl 于 2009-5-13 08:48 发表

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用SMIC018工艺设计的电荷泵结构的480M PLL，VCO用的环形震荡器，结构版图后仿真发现VCO和前仿差别很大，比如同样1.3v 控制电压下，前仿500M，后仿真只有300M，我已经将每级布线延迟尽量减小了，但还是不理想。不知是 ...

会不会是VCO的电压掉的太多了

fogworld · 发表于 2009-5-16 10:33:54

看你后仿的vctrl是否在VCO线性工作范围内，这才是关键。

pqrs477 · 发表于 2009-5-16 10:40:31

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asdfjkl · 发表于 2009-5-17 11:04:42

是屏蔽线贡献电容过大，导致Vtrl超出VCO控制的线性区。但我用calibre pex提取的计生参数，寄生 R C是个很复杂的网络，我很难评估寄生电容具体为多大，不知各位是如何做得。各位流片时VCO控制电压和前仿有多大差别？Thank you。

w98211012 · 发表于 2009-5-25 13:17:48

想问下,你的整体PLL后仿真是否与前仿效果是否一样?

pqrs477 pqrs477 当前离线积分 80 头像被屏蔽	发表于 2009-5-16 10:40:31 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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