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[资讯] 开启焊机高效时代:国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析

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发表于 10 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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碳化硅逆变焊机输出整流应用的革新之选:国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析
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引言:碳化硅技术引领焊机高效化浪潮随着电力电子技术向高频化、高效化迈进,碳化硅(SiC)器件凭借其优异的物理特性,正在逐步取代传统硅基器件。在逆变焊机领域,输出整流环节的效率与可靠性直接影响整机性能。BASiC Semiconductor基本半导体推出的国内首款400V SiC肖特基二极管B3D120040HC,以其卓越的电气性能和热管理能力,为焊机设计者提供了全新的解决方案。
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片,SiC功率模块驱动板,驱动IC)分销商,聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向,致力于服务中国工业电源,电力电子装备及新能源汽车产业链。
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倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级!
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头:
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势!
倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势!
倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势!

核心优势:B3D120040HC的六大技术亮点零反向恢复电流,降低开关损耗
传统硅快恢复二极管(FRD)在关断时存在反向恢复电流(IRRIRR​),导致显著的开关损耗。而B3D120040HC基于SiC肖特基结构,实现了零反向恢复电流,可将开关损耗降低90%以上,尤其适合高频逆变焊机(20kHz以上)的整流应用。
高温稳定性,提升系统可靠性
Tc​=135℃时,B3D120040HC仍可输出120A连续正向电流,且正向压降(VF​)具有正温度系数(25℃时1.48V,175℃时1.8V),有效避免电流集中导致的局部过热,适配焊机长时间高负载工况。
低电容电荷(QC​=172nC),支持高频化设计
总电容电荷仅为172nC,结合极低的反向恢复电荷(Qrr​=0),显著降低高频开关下的容性损耗。这使得焊机可进一步提升开关频率,缩小磁性元件体积,降低系统成本。
卓越热管理能力,简化散热设计
热阻(Rth(jc)​)低至0.18K/W,配合TO-247-3封装的高效散热路径,可在175℃结温下稳定运行。对比传统方案,散热器体积可缩减30%以上,助力焊机小型化。
高浪涌电流耐受性,增强鲁棒性
非重复浪涌电流(IFSM​)在25℃时达300A(10ms半正弦波),即使面对焊机启停或短路瞬态冲击,仍能保障系统安全。
EMI优化,简化滤波设计
零反向恢复特性与低电容电荷有效抑制高频振荡和电磁干扰(EMI),减少输出滤波电路复杂度,降低整机BOM成本。
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应用场景:逆变焊机输出整流的性能跃升在逆变焊机中,B3D120040HC可无缝替代传统硅FRD,具体优势如下:
高频化设计:支持50kHz以上开关频率,显著减小输出电感和变压器体积,提升功率密度。
效率提升:实测对比显示,在40kHz/200A工况下,整机效率提升2%~3%(典型值),降低能耗与运行成本。
可靠性增强:175℃高温下仍保持低漏电流(IR=100μA@1200V),避免热失控风险。

国内首发意义:打破技术壁垒,赋能本土制造B3D120040HC的推出标志着国产SiC器件在高压大电流领域实现突破。其本土化生产不仅缩短供应链周期,还可降低综合成本15%~20%,助力国内焊机厂商在全球市场竞争中占据技术制高点。

结语:开启焊机高效时代BASiC Semiconductor基本半导体B3D120040HC凭借零反向恢复、高温稳定性与低损耗特性,为碳化硅逆变焊机的输出整流树立了新标杆。其国内首发不仅填补了市场空白,更为本土高端装备制造注入强劲动能。在“双碳”目标驱动下,SiC技术的普及将加速焊机行业向绿色高效转型。


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