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[全新] DS4303R特点——可编程电压基准器件,FSBB20CH60C IXFX230N20T STM32F100C4T6A

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发表于 前天 14:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1、DS4303R是一款可编程电压基准器件,具有非易失性存储功能,能够在工厂校准/编程期间在线设置基准电压‌‌。该器件支持在VIN加载所需电压后,通过触发调整引脚(/ADJ)来锁定VOUT电压,即使器件是周期性供电也能保持电压的稳定性‌。
明佳达供应DS4303R可编程电压基准器件,FSBB20CH60C IPM模块 IXFX230N20T增强型MOSFET STM32F100C4T6A微控制器
框图.png
DS4303R的主要特性包括:
非易失性存储‌:基准电压可以在工厂校准/编程期间在线设置,并且能够无限期存储‌。
宽输出电压调整范围‌:可以调至低于电源电压300mV‌。
低温度系数‌:温度系数为±0.03%‌。
低噪声‌:在0.1Hz至10Hz频率范围内的噪声为200µVp-p,在10Hz至10kHz频率范围内的噪声为26µVp-p‌。
低功耗‌:供电电流为1.6mA,阴极电流也为1.6mA‌。
工作温度范围‌:工作温度为-40°C至85°C‌。
此外,DS4303R的应用场景包括偏置调节、工厂校准设备、零偏差调节、功率放大器、电源校准、压力桥、门限设置等,适用于需要精确电压调节的设备‌。

2、FSBB20CH60C是一款600V智能功率模块(IPM),专为高性能逆变器输出平台设计。其主要特性包括:
电压和电流规格‌:FSBB20CH60C的额定电压为600V,最大输出电流为20A‌‌。
保护功能‌:该模块集成了欠压闭锁(UVLO)、过流保护和故障报告等多重保护特性,确保系统的稳定运行‌。
驱动和保护‌:内置高速HVIC(高压集成电路),支持单电源供电,简化了驱动电路设计,并减少了电磁干扰和能量损耗‌。
热管理‌:采用DBC(Al₂O₃)基板,实现极低的热阻,确保在高负载下仍能稳定工作‌。
其他特性‌:包括内置自举二极管、独立的IGBT负端用于三相电流感测、单接地电源供电等‌。
应用领域:FSBB20CH60C广泛应用于交流感应电机、无刷直流电机和永磁同步电机(PMSM)的控制,特别适合于家用设备和工业电机的运动控制‌。

3、IXFX230N20T器件是一款增强型MOSFET,该器件的主要参数包括‌:
漏源极电压(Vds)‌:200V
‌连续漏极电流(Id)‌:230A
‌漏源导通电阻(Rds On)‌:7.5mOhms@60A, 10V
‌栅极-源极电压(Vgs)‌:±20V
‌功率耗散(Pd)‌:1670W(Tc)或1.67kW(Pd)‌
‌应用领域‌:IXFX230N20T适用于需要高电流和高电压处理的电路,常见于工业控制、汽车电子、电源管理等领域。其高功率处理能力和低导通电阻使其在要求严格的应用中表现出色‌。

4、STM32F100C4T6A是一款基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器,主要应用于嵌入式系统开发。
基本参数
产品:STM32F100C4T6A
核心处理器:ARM® Cortex®-M3
内核规格:32 位单核
速度:24MHz
连接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART
外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT
I/O 数:37
程序存储容量:16KB(16K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:-
RAM 大小:4K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V
数据转换器:A/D 10x12b;D/A 2x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
器件封装:48-LQFP(7x7)
应用场景:STM32F100C4T6A广泛应用于各种嵌入式系统,特别适合于需要高可靠性和低功耗的应用场景。例如,它可以用于工业控制、智能家居、医疗设备等领域‌。

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