N-CH [MOSFET]STW14NK50Z、BSC0901NSI，A5G26H110NT4 GaN 放大器

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A5G26H110NT4 2496-2690MHz，15W平均值，48V Airfast® GaN射频功率放大器
说明 这款15W非对称Doherty GaN射频功率放大器专为2496到2690MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。
该部件的特征参数和性能适用于运行在2496–2690MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

基本参数
技术：GaN
配置：-
频率：2.496GHz ~ 2.69GHz
增益：17.7dB
电压 - 测试：48 V
额定电流（安培）：-
噪声系数：-
电流 - 测试：50 mA
功率 - 输出：15W
电压 - 额定：125 V
安装类型：表面贴装型
器件封装：6-PDFN（7x6.5）

主要特性
高终端阻抗，支持出色的宽带性能
利用新一代信号改进线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
适用于复杂度较低的数字线性化系统
优化用于5G基站mMIMO有源天线系统
符合RoHS规范

STW14NK50Z MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
技术规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：92 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
等级：-
资质：-
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3
封装/外壳：TO-247-3

BSC0901NSI MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
技术规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2600 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
等级：-
资质：-
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TDSON-8-6
封装/外壳：8-PowerTDFN

全新 N-CH [MOSFET]STW14NK50Z、BSC0901NSI，A5G26H110NT4 GaN 放大器，感兴趣的朋友可联系陈先生qq 1668527835 咨询。

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明佳达全新 N-CH [MOSFET]STW14NK50Z、BSC0901NSI，A5G26H110NT4 GaN 放大器