倾佳电子SiC碳化硅功率模块销售经理

yangqiansic

倾佳电子SiC碳化硅功率模块销售经理
国产SiC碳化硅MOSFET功率模块及单管在充电桩电源模块中的应用.pdf (8.27 MB, 下载次数: 1 )

2025-1-13 10:12 上传

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国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf (12.89 MB, 下载次数: 3 )

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国产SiC碳化硅MOSFET功率器件在逆变焊机中的应用.pdf (9.1 MB, 下载次数: 5 )

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国产SiC碳化硅MOSFET功率器件在有源滤波器APF中的应用.pdf (7.71 MB, 下载次数: 5 )

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国产SiC碳化硅功率器件34mm SiC MOSFET半桥模块产品介绍.pdf (6.02 MB, 下载次数: 6 )

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任职要求：

1.大专以上学历，电力/电子/电气/自动化等专业者优先，致力于推动倾佳电子SiC MOSFET功率模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块！实现中国电力电子自主可控和产业升级！

2.较强的市场拓展、商务谈判和沟通协调能力、确定潜在的商业合作伙伴；

3.丰富的销售经验，有一定的目标客户资源优先考虑；

4.具备SiC碳化硅功率模块知识，了解光伏逆变器，充电桩电源模块，制氢电源，风电变流器，大功率DC-DC电源，大功率双向电源，模块化UPS，OBC, 车载充电机，汽车热泵空调，集中式光伏逆变器，电机驱动，逆变焊机、开关电源、逆变电源、不间断电源UPS、储能变流器PCS等应用。向电力电子客户推广XHP封装SiC碳化硅模块，62mm封装半桥SiC碳化硅模块，ED3封装半桥SiC碳化硅模块，34mm封装半桥SiC碳化硅模块，Easy 1B封装SiC碳化硅模块，Easy 2B封装SiC碳化硅模块，Easy 3B封装SiC碳化硅模块，EP封装SiC碳化硅PIM模块，EconoDUAL™ 3封装半桥SiC碳化硅模块，电力电子，SiC碳化硅模块全面取代IGBT模块，1700V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，1700V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，2000V 62mm封装半桥SiC碳化硅模块，2000V ED3封装半桥SiC碳化硅模块，3300V XHP封装SiC碳化硅模块，SiC碳化硅IPM模块

5.熟悉相关财务、合同、贸易、仓储、物流知识和法规；工作地点：华东，华南

6.具体较强的团队合作能力；

岗位职责：

1、负责所辖SiC碳化硅功率模块重要客户的开发、培育和维护工作；

2、按照所制定的SiC碳化硅功率模块销售计划及时完成销售任务；

3、负责所辖客户SiC碳化硅功率模块订单的落实、跟踪和执行，销售货款的回收工作；

4、定期访问重要SiC碳化硅功率模块客户并及时提交客户走访报告；

5、按照公司市场战略和产品策略，进行SiC碳化硅功率模块推广和市场开拓；

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BASiC™基半股份一级代理商全力推进SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，实现电力电子产业升级和自主可控！ 倾佳电子杨茜碳化硅MOSFET业务总监

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BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍.pdf (5.53 MB, 下载次数: 0 )

昨天 09:33 上传

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为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET单管及模块替代升级IGBT单管及模块已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。

学习汇川技术，咬住必然，勇立潮头！国产SiC碳化硅MOSFET功率器件一级代理商倾佳电子杨茜咬住三个必然，勇立功率器件变革潮头：

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件一级代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块革掉IGBT模块的必然趋势！

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件一级代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管革掉IGBT单管的必然趋势！

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件一级代理商倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管革掉SJ超结MOSFET的必然趋势！

IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。

未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
为此，BASiC™基本公司研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。