[讨论] 安森美功率SiC MOSFET为什么用两层金属？

发表于 2025-1-7 16:09:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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发现安森美的功率sic mosfet用了两层金属，这样做目前能想到的好处就是gate可以至于顶层金属，能省面积，除此之外还有别的考虑吗？

gate pad的面积其实没占芯片面积多少，只为了减少面积而增加一层介质层和金属层工艺不怕引起可靠性上的问题吗？

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