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01 什么是米勒现象 - 在桥式电路中，功率器件会发生米勒现象，它是指当一个开关管在开通瞬间，使对管的门极电压出现快速升高的现象。 - 该现象广泛存在于功率器件中，包括IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET。
- 原理分析：当下管Q2保持关闭，在上管Q1开通瞬间，桥臂中点电压快速上升，桥臂中点dv/dt的水平，取决于上管Q1的开通速度。该dv/dt会驱动下管Q2的栅漏间的寄生电容Cgd流过米勒电流Igd；Igd=Cgd*（dv/dt），dv/dt越大，米勒电流Igd越大。 - 米勒电流Igd（红色线）的路径：Cgd→Rgoff→T4 →负电源轨，产生左负右正的电压。 - Vgs=Igd*Rgoff+负电源轨，这个电压叠加在功率器件门极，Vgs会被抬高，当门极电压超过Vgsth，将会使Q2出现误开通，从而造成直通现象。
02 如何反制米勒现象 - 使用门极电压的负压进行负偏置，使负压足够“负”。 - 提高器件门极的门槛电压（设计选型时选高Vgsth的器件）。 - Rgoff数值减小（Rgoff是米勒现象影响程度的主要贡献者之一，数值越大，米勒现象越糟糕）。 - 减慢功率器件的开通速度。 - 使用米勒钳位功能。
03 IGBT与SiC MOSFET对于米勒钳位的需求
以下表格为硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具体参数和性能数值对比。
- 驱动芯片的米勒钳位脚（Clamp）直接连接到SiC MOSFET的门极，米勒电流Igd（红色线）会流经Cgd→Clamp脚→T5到负电源轨，形成了一条更低阻抗的门极电荷泄放回路。
- 驱动芯片内部比较器的翻转电压阈值为2V（参考负轨），在SiC MOSFET关断期间，当门极电压低于-2V（负轨为-4V）时，内部比较器翻转，MOSFET (T5)被打开, 使得门极以更低阻抗拉到负电源轨，从而保证SiC MOSFET达到抑制误开通的效果。
04 米勒钳位作用//双脉冲平台实测对比 测试条件：上管VGS=0V/+18V,下管VGS=0V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=200uH；Ta=25℃
无米勒钳位
有米勒钳位 结论
测试条件：上管VGS=-4V/+18V,下管VGS=-4V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=20uH；Ta=25℃
无米勒钳位
有米勒钳位 结论
05 单通道带米勒钳位隔离驱动BTD5350Mx系列介绍
产品特性
专门用于驱动SiC MOSFET的门极驱动芯片
副方驱动器带米勒钳位功能脚Clamp
驱动器输出峰值电流可达10A
驱动器电源全电压高达33V
副方驱动器电源欠压保护点: 8V/11V
封装类型: SOW-8(宽体)/SOP-8(窄体)
典型应用
工业电源
锂电池化成设备
商业空调
通信电源
光伏储能一体机
焊机电源
06 双通道带米勒钳位隔离驱动BTD25350xx 产品特性
专门用于驱动SiC MOSFET的门极驱动芯片
原方带使能禁用脚DIS，死区时间设置脚DT
副方驱动器带米勒钳位功能脚Clamp
驱动器输出峰值电流可达10A
驱动器电源全电压高达33V
原副方封装爬电间距大于8.5mm，绝缘电压可以5000Vrms
副方两驱动器爬电间距大于3mm，支持母线工作电压VDC=1850V
副方驱动器电源欠压保护点：8V/11V
封装类型: SOW-18
应用方向
充电桩中后级LLC用SiC MOSFET 方案
光伏储能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高频APF，用两电平的三相全桥SiC MOSFET方案
空调压缩机三相全桥SiC MOSFET方案
OBC后级LLC中的SiC MOSFET方案
服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案 | 
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发表于 2025-1-5 08:54:39
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