(供求)C3M0065090D C3M0280090J C3M0065100K C3M0015065D碳化硅功率MOSFET

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1、C3M0065090D是基于第三代技术的900 V, 65 mΩ, 36 A 碳化硅功率 MOSFET，采用小型TO-247-3封装，具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。典型应用包括：可再生能源逆变器、 电动汽车充电系统和三相工业电源。

2、C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，采用小型TO-263-7封装，具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。典型应用包括：可再生能源、照明、高压DC/DC转换器、电信电源和感应加热。

3、C3M0065100K是基于第三代技术的1000 V, 65 mΩ, 35 A碳化硅功率MOSFET，采用增强型四引脚TO-247-4封装，设有Kelvin栅极连接。 该Kelvin源设计显著降低了开关损耗和栅极振铃。 该款MOSFET具有低导通电阻、低输出电容和低源极电感，优化用于电动汽车充电系统和三相工业电源。

4、C3M0015065D是基于第三代技术的650 V, 15 mΩ, 120 A碳化硅功率MOSFET，采用小型TO-247-3封装，具有低导通电阻和开关损耗，可最大限度地提高效率和功率密度。该650 V MOSFET产品系列非常适合高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用。

明佳达电子 星际金华(供求)C3M0065090D C3M0280090J C3M0065100K C3M0015065D碳化硅功率MOSFET，如您有多余的库存需要处理，欢迎把库存清单发送到：chen13410018555@163.com 邮箱上，由专业人员免费评估。
特性
易于驱动(+15V栅极驱动)
整个温度范围内稳定的RDS(on)
坚固的体二极管(无需外部二极管)
雪崩强度
提供带独立开尔文源引脚的封装选项
无卤素，符合RoHS标准

应用
可再生能源
照明设备
电动汽车电池充电器
电信电源
感应加热
高压DC/DC转换器
开关模式电源