（供求）1200V IXYA20N120B4HV、650V RGT40TS65DGC13场截止沟槽型IGBT

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明佳达电子/星际金华（供求）1200V IXYA20N120B4HV、650V RGT40TS65DGC13场截止沟槽型IGBT，如您有库存要出售，欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询详谈。



1、IXYA20N120B4HV 1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。该绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。

IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：76 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：130 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
功率 - 最大值：375 W
开关能量：3.9mJ（开），1.6mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：44 nC
25°C 时 Td（开/关）值：15ns/200ns
测试条件：960mV，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：47 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263HV
基本产品编号：IXYA20



2、650V RGT40TS65DGC13场截止沟槽型IGBT是节能，高效的IGBT器件，广泛用于高压和大电流应用。该IGBT具有低集电极和发射极饱和电压、耐时间短路和内置快速软恢复FRD的特点。现场停止沟igbt是理想的UPS，电源调节器，焊机，和一般逆变器的工业用途。
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
功率 - 最大值：144 W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：40 nC
25°C 时 Td（开/关）值：22ns/75ns
测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：58 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247G
基本产品编号：RGT40