xSPI STT-MRAM--EM064LX产品系列的主要优势

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Everspin的xSPI STT-MRAM产品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引脚数SPI兼容总线接口，时钟频率高达200MHz。这些持久存储器MRAM设备在单个1.8V电源上运行，并通过八个I/O信号为读取和写入提供高达400MBps的数据。

EM064LX产品系列的主要一般优势。第一个也是最突出的好处是速度。EMxxLX系列支持以总线速度进行读写访问，在八进制DTR配置中可以达到400MB/s。在实践中能否实现这一速度很大程度上取决于主机处理器的性能。尽管如此，即使在更常见的（无论如何对于深度嵌入式应用）和保守的Quad SPI配置中，也获得了接近60MB/s的对称读/写速度，与典型的NOR和NAND性能相去甚远。

MRAM的另一个明显优点是其低能耗。根据EM064LX数据表，在DTR八进制配置和200 MHz时钟速度下，有效写入电流为155mA。快速返回包络线计算得出每字节0.155 A x 1.8 V/400 MB/s=0.7 nJ的写入能量。这大约是NAND的10倍，NOR的200倍。

最后，MRAM的特点是几乎无限的耐久性，这大大简化了软件设计。内存耐久性是指在保持一组原始规范（如最大错误率和加载/编程/擦除时间）的同时可以执行的编程/擦除周期数。有限的续航能力是闪存管理软件复杂性的主要原因之一。在文件系统级别，需要使用磨损均衡算法，以确保写入操作在所有块中均匀分布。这对于防止挡块过早磨损，最终使整个设备无法使用至关重要。在更高级别上，从早期设计阶段到验证阶段以及之后，必须使用诊断工具处理有限的耐久性问题，以便在现场监测设备。这同样适用于裸闪存和托管闪存。更多产品详情请联系代理RAMSUN.