串口MRAM存储芯片MR25H10MDCR/MR25H10MDFR

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串口MRAM存储芯片MR25H10MDCR/MR25H10MDFR 星际金华优势提供，欢迎咨询！

1，MR25H10MDCR：
存储器类型        非易失
存储器格式        RAM
技术        MRAM（磁阻式 RAM）
存储容量        1Mb （128K x 8）
存储器接口        SPI
时钟频率        40MHz
写周期时间 - 字，页        -
电压 - 供电        2.7V ~ 3.6V
工作温度        -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型        表面贴装型
封装/外壳        8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装        8-DFN-EP，大型标志（5x6）


2，MR25H10MDFR：
存储器类型        非易失
存储器格式        RAM
技术        MRAM（磁阻式 RAM）
存储容量        1Mb （128K x 8）
存储器接口        SPI
时钟频率        40MHz
写周期时间 - 字，页        -
电压 - 供电        2.7V ~ 3.6V
工作温度        -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型        表面贴装型
封装/外壳        8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装        8-DFN-EP，小标志（5x6）


其他原装型号：
MR25H40CDFR
MR25H40DFR
MR25H40VDFR
MR25H10MDCR
MR25H10MDFR
EMD3D256M16G2-150CBS1R
EMD4E001G16G2-150CAS2R