TPN8R903NL和MG15G1AL3和TC358763XBG 分立晶体管

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TPN8R903NL和MG15G1AL3和TC358763XBG 分立晶体管：

规格：
FET 类型        N 通道
技术        MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）        30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）        20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）        4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）        8.9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）        2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）        9.8nC @ 4.5V
Vgs（最大值）        ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）        820pF @ 15V
功率耗散（最大值）        700mW（Ta），22W（Tc）
工作温度        150°C（TJ）
安装类型        表面贴装型
供应商器件封装        8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳        8-PowerVDFN


应用：
开关稳压器
DC-DC转换器


特征：
高速切换
小栅极电荷
低漏源导通电阻
低漏电流
增强模式


星际金华供应 TPN8R903NL和MG15G1AL3和TC358763XBG 分立晶体管 原装现货，更多详情，欢迎咨询！

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vdss是指on 还是 off呢？