一文了解2SD2114KT146V

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一文了解2SD2114KT146V

2SD2114KT146V特点
1）高直流电流增益。
hFE=1200（典型值）。
2）高的发射极-基极电压。
VEBC-12V（最小值）
3）低VCE（SAT）。
VCE（SAl8V（典型值）。
(C/B=500毫安/20mA）

Structure
外延平面型
NPN硅晶体管

制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:  详细信息  
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-59-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
集电极—基极电压 VCBO: 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
集电极—射极饱和电压: 0.18 V
最大直流电集电极电流: 1 A
增益带宽产品fT: 350 MHz
最大工作温度: + 150 C
系列: 2SD2114K
直流电流增益 hFE 最大值: 2700  
高度: 1.1 mm  
长度: 2.9 mm  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
封装: Reel  
宽度: 1.6 mm  
商标: ROHM Semiconductor  
集电极连续电流: 0.5 A  
直流集电极/Base Gain hfe Min: 820  
Pd-功率耗散: 200 mW (1/5 W)  
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  
工厂包装数量: 3000  
子类别: Transistors  
单位重量: 8 mg