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查看: 2577|回复: 9

[讨论] 这两种接法有什么区别

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发表于 2016-1-6 15:47:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1452066177939.jpg
发表于 2016-1-6 16:30:29 | 显示全部楼层
都提供ESD电荷泄放路径。前边是gdnmos,相当于二极管;后者是ggnmos,利用的寄生三极管。
发表于 2016-1-6 17:36:16 | 显示全部楼层
明显后者的更常用啊!那为什么不用前者啊!况且前者也有寄生的三极管啊
发表于 2016-1-7 15:59:52 | 显示全部楼层
大哥,小心烧起来
发表于 2016-1-7 16:21:01 | 显示全部楼层
笑屎了,说第一种接法能当ESD的请站出来走两步。
发表于 2016-4-23 21:05:32 | 显示全部楼层
第一个应该是Pmos吧。。。。
发表于 2016-4-24 08:58:02 | 显示全部楼层
第一个能当ESD用的回炉再造。。。
发表于 2016-4-24 09:07:21 | 显示全部楼层
最喜欢看这种一本正经的胡说八道了;
DIODE接到PIN上,和直接把PIN接到GND上面是差不多的节奏;
发表于 2016-4-24 11:16:44 | 显示全部楼层
我确定看到图中第一个不是P管
发表于 2016-4-24 12:51:46 | 显示全部楼层
本帖最后由 hughhuang 于 2016-4-24 12:55 编辑

看完图我第一感觉是我要回炉重造了。。。然后看了眼下面评论就放心了。NMOS栅端一个接VDC一个接GND,怎么可能一样啊?另外根据我肤浅的认识,二极管接法的MOS管能做ESD么?虽然没做过ESD。。。
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