中芯推出1.2伏低功耗嵌入式EEPROM平台

even_ryen · 发表于 2012-9-24 15:31:48

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中芯国际宣布，推出1.2伏（V）低功耗嵌入式EEPROM的平台，与其0.13微米（um）低漏电（LL）工艺完全相容。

该平台经过流片以及IP验证，在降低功耗、晶片尺寸和成本的同时，能提高资料的安全性。这个新平台为中芯国际的成熟工艺节点提供了最新的增值服务，主打中国快速发展的双介面金融IC卡市场及全球非接触式智慧卡市场。

flyingover · 发表于 2012-10-6 01:17:21

容量和面积怎样呢？

dapishan887 · 发表于 2012-10-6 15:22:36

henhaobucuoa

ralphtw · 发表于 2014-10-15 20:17:50

from smic !

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