LDMOS的准饱和效应分析

gravediggaz · 发表于 2014-7-18 21:40:04

微系统所的王博士的文章，对准饱和的解释很清晰。
基本概念来自M. Darwish对 VDMOS的分析，关键点在于偶极层和载流子速度饱和。
这一点上，电子科大的陈教授的《功率MOSFET与高压集成电路》里的解释其实是不完备的，其所用的漏漂移区的寄生JFET电阻的概念是无法解释为何IDS随VGS增加而增速缓慢。

rb03508 · 发表于 2017-1-16 20:37:37

谢谢分享！！

chenxiaoming · 发表于 2017-1-17 20:49:57

kankan

wsrfyxy · 发表于 2017-1-28 10:30:00

kanakn

yangbiwen242 · 发表于 2018-4-3 10:35:47

学习学习

xiaoli_wu · 发表于 2023-8-8 15:28:10

看看

[资料] LDMOS的准饱和效应分析

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