EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

标题: LDO稳定性 [打印本页]

作者: lzx888 时间: 前天 15:07
标题: LDO稳定性
在LDO瞬态仿真中，片内电容用理想的100p电容做补偿电路不震荡，但是用实际的电容做补偿电路就会震荡？两个电容值相同

作者: lzx888 时间: 前天 15:08
求解答

作者: zhanweisu33 时间: 前天 15:23
增大电容试试

作者: hgw94 时间: 前天 15:25
mos电容会有寄生，要找一下是不是寄生影响

作者: semico_ljj 时间: 前天 17:11
ESR 不一样

作者: 狂澜 时间: 昨天 17:16
电路架构发出来

欢迎光临 EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) (https://bbs.eetop.cn/)