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标题: 关于LDO是否需要外挂大电容的考虑 [打印本页]

作者: 小磊IC 时间: 2024-11-7 10:03
标题: 关于LDO是否需要外挂大电容的考虑
本人想设计一款LDO，需要满足带载100mA的电流，在网上查了一些资料后，不知道对于这种量级的，在片外加电容和不加电容应该出于什么考虑，好坏在哪里，哪种LDO比较好设计一些。

作者: 小磊IC 时间: 2024-11-7 14:39
11111

作者: Mrseawal 时间: 2024-11-7 14:52
一般100mA这么大负载电流都是做片外的片外挂一个大电容（通常在uF级）将主极点放在输出端稳定性比较好实现因为负载电流这么大功率管尺寸很大 gate capacitance也很大如果做片内ldo瞬态会很差

作者: Mrseawal 时间: 2024-11-7 14:58
100mA这么大的负载电流一般做片外ldo 片外挂一个大电容（通常在uF级）将主极点放在输出端稳定性比较好实现因为负载电流很大功率管尺寸很大 gate capacitance也很大用片内ldo瞬态会很差

作者: Mrseawal 时间: 2024-11-7 15:00
100mA这么大的负载电流一般是片外ldo 片外挂一个大电容（通常在uF级）将主极点放在输出端稳定性比较好实现因为负载电流很大功率管尺寸很大 gate capacitance也很大用片内ldo瞬态会很差

作者: Mrseawal 时间: 2024-11-7 15:01
100mA这么大的负载电流一般是片外ldo 片外挂一个大电容（通常在uF级）将主极点放在输出端稳定性比较好实现因为负载电流很大功率管尺寸很大 gate capacitance也很大用片内ldo瞬态会很差

作者: zjouu 时间: 2024-11-7 17:23
片外片内都行吧这个数量级

作者: 私想小子 时间: 2024-11-7 17:56
工程角度，允许用电容就加电容，简单好做耐用。当然很多情况下不给外挂电容的机会。

作者: zh2546881399 时间: 2024-11-7 21:46
100mA感觉片内的就行

作者: Vawell 时间: 2024-11-7 21:53
100mA片内电容就能搞定 ( , 下载次数: 40 )

作者: peterlin2010 时间: 2024-11-7 22:23
100ma 有出PIN ? 如果有出pin 片外 mlcc cap , esr小 ,

能出PIN 就 mlcc 的 LDO .

没法出pin capless 的 100ma 可能须想..如何做 ?

https://bbs.eetop.cn/thread-768410-1-1.html

A. 用内部 mos_cap , mimcap, pipcap 去拚大电容

B. 真的 capless design

DFC or FVF ??

作者: 小磊IC 时间: 2024-11-8 16:11

Vawell 发表于 2024-11-7 21:53
100mA片内电容就能搞定

片内的话，能请教一下比较好点的LDO框架和片内电容一般做多大呢？

作者: semico_ljj 时间: 2024-11-9 13:28
Capless

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