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标题: 请问电容器件阻抗幅频图为什么会出现下陷？ [打印本页]

作者: 红红的西瓜 时间: 2024-8-7 01:25
标题: 请问电容器件阻抗幅频图为什么会出现下陷？
本帖最后由红红的西瓜于 2024-8-7 01:26 编辑

针对常规LDO片外电容的ESR参数，我去看了一些电容器件的datasheet，发现电容的端口幅度频率特性都会在高频出现下凹的情况，按我的理解应该是出现了共轭极点。如图是村田一个电容型号的阻抗频率特性曲线，请问大家为什么会出现这个下凹呢？如果电容模型是理想电容和固定值ESR串联，那么在高频处不应该是平滑的折线吗？

作者: ethanchung 时间: 2024-8-7 07:57
低頻呈現電容性，高頻呈現電感性

作者: ethanchung 时间: 2024-8-7 07:58
https://article.murata.com/zh-cn ... stics-in-capacitors

作者: 红红的西瓜 时间: 2024-8-7 10:56

ethanchung 发表于 2024-8-7 07:58
https://article.murata.com/zh-cn/article/impedance-esr-frequency-characteristics-in-capacitors

看来这种特性是部分类型电容固有的，模型里还有ESL，学习了。

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