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标题: 1个8KB的SRAM读写8次，和8个1KB的SRAM每个读写一次，哪个功耗更大？ [打印本页]

作者: helimpopo 时间: 2023-10-14 20:11
标题: 1个8KB的SRAM读写8次，和8个1KB的SRAM每个读写一次，哪个功耗更大？
8个1KB的SRAM在不读写期间，cs无效。

作者: zhh124 时间: 2023-10-14 21:19
一般整体8个1k ram 功耗比1个8kb的大，功耗主要来自sense ap以及接口部分

作者: helimpopo 时间: 2023-10-14 21:30

zhh124 发表于 2023-10-14 21:19
一般整体8个1k ram 功耗比1个8kb的大，功耗主要来自sense ap以及接口部分

但是我认为8KB规模更大，每次读写需要充放电荷更多

作者: phoenixson 时间: 2023-10-14 22:14
一个读写总数64KB，一个是8KB,这个如何比较？

作者: 莫名晴天 时间: 2023-10-15 09:51

helimpopo 发表于 2023-10-14 21:30
但是我认为8KB规模更大，每次读写需要充放电荷更多

在整个工作周期肯定是8个1kb的功耗大，因为它的外围电路要比1个8kb的大，

同时因为每一个sram都有一套寻址，8个1kb的sram面积也要比一个8kb的大。

但是，对这种功耗的优化只能靠数字前端了，数字后端关注的是，一个8kb的sram翻转引起的电压波动比8个1kb的要大，
对数字后端来拆开的更可靠，同时拆开的单个sram的时序也要比单个的好，但是拆开的又比较费面积，使用起来就是综合考虑吧。

所以如果单纯说功耗的话，拆开的肯定要大于未拆开的。

作者: helimpopo 时间: 2023-10-15 20:20
本帖最后由 helimpopo 于 2023-10-15 20:22 编辑

莫名晴天发表于 2023-10-15 09:51
在整个工作周期肯定是8个1kb的功耗大，因为它的外围电路要比1个8kb的大，

同时因为每一个sram都有一套寻 ...

你看看这个帖子，拆开功耗更低啊，因为读写次数都一样。
面积还好，我看了memory compiler，考虑间隙，2个1KB是1个2KB面积的1.06倍。
1拆8也就刚好1.2倍的面积增加。

https://bbs.eetop.cn/thread-602183-1-1.html

作者: helimpopo 时间: 2023-10-15 20:29

phoenixson 发表于 2023-10-14 22:14
一个读写总数64KB，一个是8KB,这个如何比较？

相同时间内，读写次数都一样。

大的读8次
小的各读一次。

作者: zero_0 时间: 2023-10-16 14:36
参考另外一个帖子的意义不大。在没说清楚具体需求之前，你这个描述的一般理解是：位宽相同，macro类型相同，深度不同的1个8KB的SRAM和8个1KB的SRAM的功耗比较，如果把deselect power考虑进去，哪种更省都有可能（往往是8KB的更省），但是如果你不考虑deselect power那肯定都是1KB的SRAM更省

作者: helimpopo 时间: 2023-10-16 14:44

zero_0 发表于 2023-10-16 14:36
参考另外一个帖子的意义不大。在没说清楚具体需求之前，你这个描述的一般理解是：位宽相同，macro类型相同 ...

deselect power你是指cs置无效时产生的？

作者: zero_0 时间: 2023-10-16 15:14

helimpopo 发表于 2023-10-16 14:44
deselect power你是指cs置无效时产生的？

是的

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