EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

标题: 东部工艺ISO Ring疑问 [打印本页]

作者: Amor-biu 时间: 2023-1-9 10:19
标题: 东部工艺ISO Ring疑问
最近画版图开始接触ISO Ring，东部工艺，有几个问题请教大家：
1.什么类型的管子需要添加ISO Ring，换言之，怎么判断这个管子需不需要添加？
2.ISO Ring Placer里面是有不同类型的隔离管的，凭借管子类型怎么判断添加什么类型的隔离管？
3.关于器件剖面图，对剖面图理解不到位，例如如下两个剖面图，在作用上有什么区别？在PDK中CMOS Isolation Options中明确指出这两种作用有优劣，但是不太理解。

作者: Amor-biu 时间: 2023-1-9 10:45
upupup

作者: szeda 时间: 2023-1-9 11:33
没用过，了解下

作者: andy2000a 时间: 2023-1-9 12:38
本帖最后由 andy2000a 于 2023-1-9 16:59 编辑

https://bbs.eetop.cn/thread-883547-1-1.html

https://bbs.eetop.cn/thread-920611-1-1.html

怎么判断这个管子需不需要添加 , 這 ISOdevice 會有

高压工艺有deep well 或NBL 做isolation .

你看同一工艺会同时有 ?

有些BCD工艺只有DNW 没NBL

如都有你看耐压有何差别

MORE

https://bbs.eetop.cn/thread-895611-1-1.html

作者: bing_bing 时间: 2023-1-9 14:27
1，版图是帮助电路完成物理实现。电路是源头，很多东西不是由版图自己决定的。什么类型管子需要放iso ring，要先去看电路上是怎么设计的。设计上有iso那就必须得带iso
2，同理，版图需要什么样的iso。去看电路上是怎么设计的。管子类型是什么样的
3，第一张图，很典型，DNW工艺。DNW 在衬底上独立隔离出一块“局部衬底”，这个局部衬底上可以做出衬底电位不同于PSUB 的NMOS，PMOS也可以放入DNW 。NMOS做在SDPW里面PMOS做在SDNW里面。DNW通过SDNW接上电位。

作者: 이지은 时间: 2023-1-9 14:35
不是isodevice就不需要isoring呀，这看电路设计用的什么类型的mos，普通mos的话围什么isoring哦，直接npguard就行了

作者: realgb 时间: 2023-1-9 15:01
我的理解是，在电路设计中会知道要用哪些devices，具体的什么电压用到什么devices，这些应该都在相应的PDK中参考，版图中要用什么iso ring通常都是由标准的元件库决定的，除非你们的设计要用到特别的元件，那应该由设计人员跟foundry沟通来修改元件规格，通常需要做额外的test chip来确认是否可行。

作者: ICstudy_zhao 时间: 2023-1-9 15:15
在我的经验中，添加ISO ring 要么是因为模块内信号敏感，需要进行隔离处理，用ISO ring,要么是本身电路设计要求，N管的衬底不接地。
图一和图二的区别是图一的ISO ring 电位和P管的N阱电位一致，图二可以让ISO ring 的电位与P管的N阱电位独立分隔起来。也是看电路要怎么调用。

欢迎光临 EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) (https://bbs.eetop.cn/)