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标题: dual-rail Mem的使用？？ [打印本页]

作者: yic2000 时间: 2021-8-30 10:54
标题: dual-rail Mem的使用？？
VDDC是bitcell电压，VDD是logic电源；那么dual-rail mem的低功耗，是在给VDD降压？还是给VDDC降压？

作者: hzhou 时间: 2021-8-31 10:56
有dual-rail SRAM相关的paper可以参考，一般情况下，VDDC高于VDD，以确保sram cell读写工作时的SNM。两个电压都可以调，依赖于芯片的低功耗设计方案；

作者: yic2000 时间: 2021-8-31 23:23
本帖最后由 yic2000 于 2021-9-1 00:17 编辑

hzhou 发表于 2021-8-31 10:56
有dual-rail SRAM相关的paper可以参考，一般情况下，VDDC高于VDD，以确保sram cell读写工作时的SNM。两个电 ...

因为我遇到的都是高频需求；所以，按照我的理解logic一般都是ULVT，降他可以减少leakage；然后bitcell一般不是频率的瓶颈，其实我可以降VDDC减少动态功耗？因为，如果考虑频率的强需求，这里也不存在需要bit cell的Vmin有强烈需求？

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