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标题: 关于tsmc180nm工艺mos管的工作电压的问题 [打印本页]

作者: iloverfic 时间: 2020-11-19 13:12
标题: 关于tsmc180nm工艺mos管的工作电压的问题
我想问一下tsmc180nm工艺中，nmos2v和nmos3v的工作电压分别为1.8v和3.3v，那么这个最大工作电压指的是Vgs或者Vgd吗？漏源电压Vds的大小有没有限制呢？

作者: nanke 时间: 2020-11-20 09:48
fab model 文件上一般会写vgs vds vbs在0~1.2vdd的情况。
按照这个设计，同时遵守drc rule,量产有保障。

如果想偷规则有没有数据支撑就要冒点风险。
vgs耐压主要由栅氧厚度决定，一般偷不了。但有一种情形是同样栅氧厚度的mos，不同的L,VGS耐压不同。
vds耐压相对好一些，通过增大L可以改善。

多数情况都可以通过改变设计来限制以vds,vgs,vdb,vbs的电压。（可能会多一些面积）

超过最大工作电压短时间不会出问题，长时间可能对寿命有影响。

以上纯属推测。

作者: iloverfic 时间: 2020-11-20 09:50
射频电路中Vds往往很大，不知道会不会出问题

作者: nanke 时间: 2020-11-20 10:13

nanke 发表于 2020-11-20 09:48
fab model 文件上一般会写vgs vds vbs在0~1.2vdd的情况。
按照这个设计，同时遵守drc rule,量产有保障。

刚看到的一篇mos管击穿原理的文章，解答了我关于vg=0和vg=vdd的mos耐压区别的疑惑。http://www.kiaic.com/article/detail/2348.html

射频不是常开的，而且vds只是峰值大，应该还好吧。有看到vgs=0-2.5 vds=0-5的，但不知是否所有mos都这样。

作者: hebut_wolf 时间: 2020-11-20 17:50
vds超一点，一般mos管不会坏，寿命会降低

作者: vbstar 时间: 2021-7-7 09:38
在工艺手册中对于MOS管的工作电压是有规定的把

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