EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

标题: 28nm 做IR drop 和EM 都在什么corner 下 [打印本页]

作者: 厚娇07 时间: 2019-9-28 15:26
标题: 28nm 做IR drop 和EM 都在什么corner 下
想问一下，通常28nm 做IR drop 和EM 都在什么corner 下？十分感谢

作者: 不识君 时间: 2019-9-29 10:58
路过，顶一下

作者: lijie5992373 时间: 2019-10-8 10:02
IR drop和EM最好在TT做，这俩和器件的corner 没关系，device corner只影响IC的速度。

作者: 厚娇07 时间: 2019-10-9 10:47

lijie5992373 发表于 2019-10-8 10:02
IR drop和EM最好在TT做，这俩和器件的corner 没关系，device corner只影响IC的速度。 ...

我们现在做ff 0.99 125 的，说是最坏的情况，你们通常都做TT的？是商用吗？

作者: 厚娇07 时间: 2019-10-21 11:08

lijie5992373 发表于 2019-10-8 10:02
IR drop和EM最好在TT做，这俩和器件的corner 没关系，device corner只影响IC的速度。 ...

您好，想问一下redhawk可以设置仿真的年限吗？

作者: 小微电路 时间: 2021-3-30 23:03
高手指点一下

作者: wrxs 时间: 2021-3-31 10:49
没有signoff 文档吗？

作者: 一枚小兵 时间: 2021-3-31 17:42
我用的TT，比较care leakage的话或者汽车电子会跑ff150

作者: godunlove 时间: 2021-4-13 00:07
看需要的商用年限。ff 125 好像对标的是十年，如果只一两年用tt 25 没啥问题

作者: wlmwxm 时间: 2021-4-13 16:50
我们也是在 ff 125 下，28nm leackage 影响很大的

作者: yaya0315 时间: 2022-7-14 14:43

lijie5992373 发表于 2019-10-8 10:02
IR drop和EM最好在TT做，这俩和器件的corner 没关系，device corner只影响IC的速度。 ...

这个回答不准确把

作者: fangwang85 时间: 2022-7-15 16:16

wlmwxm 发表于 2021-4-13 16:50
我们也是在 ff 125 下，28nm leackage 影响很大的

学习了

作者: zjouu 时间: 2024-12-18 17:01
ff 125吧，要求不高的 ff 110也常见

欢迎光临 EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) (https://bbs.eetop.cn/)