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标题: 工艺无关 osc [打印本页]
作者: andy2000a 时间: 2019-1-17 10:46
标题: 工艺无关 osc
工艺无关
osc
一般会
trim
bandgap,
trim clock . 但
trim增加cost不论
lasertrim or , effuse 都需CP ,
如果想舍去
CP
做
trimless clock
, 该如何做? 好像有些 paper trimless bandgap , 但是 PIPor MIM or mos 都受工艺
.
Bandgap只能做到电压
温度, 不同
corner下
VBG还有差. V/R, 光 hi-res电阻
variation就不小,
电流加上
current mirror
http://bbs.eetop.cn/thread-768677-1-3.html
一般如不
trim 下 , 纯
RCOSC 会多少
% ? ~10%可能吗
另外
trimless 有看过
self-calc
http://bbs.eetop.cn/thread-207741-1-1.html
那太复杂, CHIP 就是要省
cost ,
还有更小电路
trimless clock 设计吗?
作者: nanke 时间: 2019-1-17 15:39
本帖最后由 nanke 于 2019-1-17 16:11 编辑
不trim又没trim过的参考基准用的话，只能靠补偿，做成什么样子难说。
楼主做什么产品的，为什么不trim，除非有时间有精力打磨，trim最简单成本最低（除非能卖很多颗，不然省掉trim花费的研发成本更高）。
即使不trim又没trim过的参考基准用，又不能投入太多研发的话，±5%个人感觉是可能的，±2%不好说。
作者: demon0821 时间: 2019-1-18 15:19
不想trim，那就去调工艺吧
目的是一样的，只是手段不同而已
作者: king0798 时间: 2019-1-21 11:37
不用trim基本不可能
作者: andy2000a 时间: 2019-1-22 14:19
不用trim基本不可能
king0798 发表于 2019-1-21 11:37
了解
. 不
TRIM 就是想省去CP , 但先前流片不论
effuse
或是
laser trim . 或更早期
currenttrim .
不过有看过一些
die. 看不出
fuse. 才想说是否电路上可做
trimless. 先前有听说过一种用
“diode”
fuse 是一种IP , area 小
外观看不太出来. 不知道
FITIpower
chip 是否用类似技术 .
作者: ywic 时间: 2019-1-25 09:50
diode fuse和mettle fuse原理差不多的吧
作者: lynker 时间: 2019-1-29 15:10
这个问题你可以倒过来想
（1）能否实现一个高精度Freq to V转换电路，这样你有了bandgap的Vref你就有了高精度的Freq
（2）能否实现一个高精度trimless的带通滤波器，通过正反馈的方式让它自激振荡
（3）能否实现一个振荡器使得Freq的表达式中没有R和C，其中出现的自变量精度足够高且与工艺无关
作者: blackspeed 时间: 2019-1-30 13:28
trim不trim取决于你所要的精度，不trim是为了省CP，这是Cost的考虑，这是设计和成本的trade off，不存在技术上的问题。工艺无关osc，晶振吧，外接。
作者: fightshan 时间: 2019-1-30 14:11
就从仿真来看，无论是电容（MOM电容）还是电阻（poly电阻）从ff到ss的绝对值变化能达到40%，如果你是做RC osc，振荡频率是完全依赖RC值的，ss到ff变化时频率变化能达到2倍（大约1.4x1.4这样），不带trimming似乎很难做到。有篇文章可以看一下，文中没提到corner补偿的问题，但最后提到的仿真结果确实有点让人难以置信：
( , 下载次数:
313 )
( , 下载次数:
88 )
如果是做ring OSC可以在电路内部考虑做个corner compensation的模块，参考这篇：
( , 下载次数:
403 )
总的来数，最顶尖的ISSCC和JSSC上关于片内的OSC参考一般很少提到corner的问题，大部分paper还是出于做temp和POWER方面的补偿而做的创新，而且看起来弄的还不错，但不至于做到替代XO的程度，一些低成本的应用是可以的，不知道楼主是要用在哪里。
作者: ab125802 时间: 2019-4-25 14:17
顶一下
作者: zealotyao 时间: 2019-4-26 11:05
efuse不是CP，是FT Trim，能不能不trim做到10%，不同工艺参数变化，分布不同
作者: 晚生小辈 时间: 2019-4-26 11:20
感谢分享,支持大家多多分享交流
作者: jinjindjy 时间: 2020-6-5 10:58
谢谢分享
作者: yuweimo 时间: 2020-6-11 23:50
thanks
作者: peterlin2010 时间: 2020-7-18 10:43
目前有 trimless bandgap , 但是OSC 须 R , CAP , 两者在CORNER MODEL 变化很大 . 要做到trimless clock 不容易
作者: nanke 时间: 2020-11-23 15:08
最近折腾低频RC振荡器，鼓捣了半个月还搞不定，发现比我之前想的要难得多，到现在10%都做不到目前的思路是：
用松弛振荡器
I= m*VT/R + u*Cox*V
C= Cox
主要问题是
（1）各参数（R vth u cox)的corner不重合，特别是电阻和mos，corner仿真补偿好了，蒙特卡罗仿真variation还是很大。
（2）补偿完vth和cox，还剩下u没法消去，R变化导致电流绝对值和温度系数变化。
（3）如果用res-less的电流补偿温度系数，COX又没法消去。
不知还有什么其它思路，
作者: fightshan 时间: 2020-11-24 11:22
corner要用trim，补偿只是做温度补偿，不包括corner时，10%肯定很容易，我实测的结果也就2%，够用了
作者: gugu810 时间: 2020-11-25 09:50
不trim只能靠你的工艺了。
作者: nanke 时间: 2020-11-25 10:10
放弃了，osc逃不掉RC的corner变化。
这次当了回spice monkey，做之前低估了低频RC osc的难度，看到论坛里有人用mos互相补偿做到了正负5%，以为自己能做到10%，原理都没弄清楚，甚至连mos各参数的PVT特性都没弄清楚就动手了。
单独减小工艺偏差或单独减小温漂10%以内还能做到，两个加起来就满足不了了。
到目前为止，能想到的不trimming的方案PVT最多也只能到正负15%：
（1）产生PVT无关的（<5%）电流，已经有论文做到了，不过太复杂了。
（2）使用MIM电容，没有就只能用MOS电容，MOM电容绝对误差太大。
（3）如果电源电压范围大，就做一个基准（不需要准）
这样下来，功耗可以做低，但面积有点大。。
作者: jeffej 时间: 2020-11-25 11:21
no trim, not easy, process dependent
作者: teddy01290223 时间: 2021-2-23 17:31
thanks for sharing ~
作者: acocacol 时间: 2021-2-27 23:36
能做出来那是划时代的
作者: IC2019 时间: 2021-3-23 18:45
我也做OSC
作者: IC2019 时间: 2021-3-23 18:48
你是如何做corner 补偿的？有没有相关文章
作者: nick_zhu1990 时间: 2021-8-25 16:21
大神真牛
作者: lynker 时间: 2021-8-26 09:42
之前eetop上有人提到过，电阻R使用MOS管的gm代替，电容C使用MOS管饱和区的栅电容，也就是Cox。我推倒过公式结论是与工艺无关，但这里的公式是最简单的MOS管饱和区二次方公式，实际器件模型比这个复杂得多。打算过搭电路尝试，一直没动手，兄弟要是有兴趣可以按这个原理试试。
作者: nanke 时间: 2021-8-27 10:38
这个我以前应该瞎试过但没成功，还有个迁移率不好控制。这一块了解的太少，没法设计出好用的电路。振荡器变量太多，有些还是线性度还很差，不好控制。工艺偏差小了温度系数就大了。
不是做振荡器这块的，只是需要用到，性能不好也认了，折腾了半个月后面就没研究了。
作者: piao 时间: 2022-7-7 23:34
Thanks for sharing
作者: 21年跨行RFIC 时间: 2022-7-26 19:22
thanks
作者: kelpait 时间: 2023-8-3 20:41
你好，有相关的链接或者paper可以参考一下吗
作者: lynker 时间: 2023-8-4 11:17
没有，我们现在做的都是类似FLL的锁定电压的OSC了
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