EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

标题: ddr与flash的区别 [打印本页]

作者: zybsds 时间: 2017-6-27 17:05
标题: ddr与flash的区别

最近自己实现了部分动态可重构，是将部分比特流文件保存在flash中。

而另一篇文献中则是将部分比特流数据保存在了flash中。

请问这两者在读取时，哪种方式的速度可能更快一些

作者: 原子弹001 时间: 2017-6-28 09:07
是将部分比特流文件保存在flash中。
而另一篇文献中则是将部分比特流数据保存在了flash中。？？？？？？？怎么都是flash

作者: qiurijian 时间: 2017-6-28 09:08
不知道，帮顶一下。

作者: zybsds 时间: 2017-6-28 09:08
不好意思，另一个是ddr

作者: zybsds 时间: 2017-6-28 09:09
回复 2# 原子弹001

请问就这两种器件而言，哪种读取速度更快一些

作者: harry_hust 时间: 2017-6-28 14:32
ddr快，都能用作内存，速度肯定是很快的。
但两种器件应用场景完全不一样啊，没啥好比的。

作者: zybsds 时间: 2017-6-28 14:37
回复 6# harry_hust

为了配置的速度考虑，该比还是要比啊

作者: zybsds 时间: 2017-6-28 17:21
我自己工程里控制flash的是I_emc这个IP核，用的是axi的接口。

有没有同学能给出理论上的速度比较，或者提供一些数据之类的资料。

作者: zybsds 时间: 2017-6-28 17:24
还有，怎样将部分比特流的数据写入ddr呢？
因为我自己是用mcs文件来配置的flash；
感觉如果用ddr来存储部分比特流的话完全是另一种操作。

作者: harry_hust 时间: 2017-6-28 17:27
回复 7# zybsds

如果是做配置用，这两个的应用场景不一样。ddr是sram，掉电数据会消失的，如果做配置用，那一定有一个配置数据加载到这里面的一个过程；
flash是非易失的，掉电后数据还在，可以直接读取配置就好了。

所以如果是前者，这个加载过程也是需要时间的啊。

作者: zybsds 时间: 2017-6-28 19:42
回复 10# harry_hust

嗯，有道理。论文里估计加电后就读到ddr里，然后一直不断电，之后就从ddr里一直读了。
不过我还是很好奇它是用哪种方法把bit的数据读到ddr里去的

作者: t28user 时间: 2017-6-28 21:23
回复 11# zybsds

在 ALTERA 的 NIOSII BSP 中，可以設定開機時的動作: (, 下载次数: 27 )

開機時所有文件由 FLASH 或是 EPCS 載到 RAM中，就是執行 bootloader，只是已經由系統幫你做好的。

作者: zybsds 时间: 2017-6-29 09:00
回复 12# t28user

谢谢指教
虽然我用的vivado的平台；但您的意思是不是说即使配置文件存储在flash里，也存在一个由flash到ram的过程；
也即是不论是哪种形式的配置文件，都会由系统来处理而不需要自己进行写入ddr的操作

作者: t28user 时间: 2017-6-29 09:26
回复 13# zybsds

正是如此。因為廠商已經把系統簡化，幫你做了這個流程，開發人員只要把可執行的軟硬體設計好，放到 FLASH 中就可以了。

作者: zybsds 时间: 2017-6-29 11:00
回复 14# t28user

嗯，多谢多谢，以后请多指教

欢迎光临 EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) (https://bbs.eetop.cn/)