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标题: 不同管壳封装对芯片ESD的影响 [打印本页]

作者: kevin_nudt 时间: 2016-1-26 15:47
标题: 不同管壳封装对芯片ESD的影响
同1款芯片，分别采取CLCC32和CDIP32封装，HBM 2KV ESD测试，CLCC32封装 ESD测试通过；CDIP32封装 ESD测试，地址类管脚出现1900V IV曲线偏移10%，机台复测功能失效，目前还没有进行FA，请教下各位，有遇到该现象吗？求指教

作者: andyjackcao 时间: 2016-1-26 20:49
CLCc32的Esd最高过多少？

作者: albertyin 时间: 2016-1-27 08:13
这个主要是因为不同封装的引线/框架寄生电感不同(寄生电阻为次要作用), 而使放电斜率(电流大小, 持续时间)等不同.
不同封装ESD测试结果不同是合理的, 但差别不会非常大.

作者: DOONPENG007 时间: 2016-1-27 09:59
金线、铜线不同材质的键合线，不同的线径都会对最终的ESD测试造成影响

作者: kevin_nudt 时间: 2016-1-28 11:29
回复 2# andyjackcao
2800V

作者: kevin_nudt 时间: 2016-1-28 11:32
回复 3# albertyin
恩，两个封装采用相同的材质和金线直径，已经查看了管壳厂商提供的管壳电阻，CDIP32的管壳相对CLCC管壳的键合指电阻参数要大30%以上，均在毫欧级

作者: kevin_nudt 时间: 2016-1-28 11:34
回复 4# DOONPENG007
两个封装的键合线都是用的25um金线，针对目前CDIP32封装，如果采用20um金线封装，能否对ESD电流协防有帮助？

作者: albertyin 时间: 2016-1-28 17:27
虽然bonding wire的材质和线径是一样的, 但他们的长度和曲度应该是不一样的, 而使其电感值不同, 相应的ESD放电电流的波形也不同.
如果采用较细的线径, 则电感值变大, ESD放电的最大电流会变小, 但放电时间会变长(电流振幅衰减较慢), 对你的产品的影响可以根据目前的结果推测:
如果是两个封装中bonding wire较长的ESD结果较好, 可以考虑试验较细线径.
大封装厂有封装寄生参数提取服务, 可以比较直观地看到寄生电感/电容/电阻的差别.

作者: kungfu1st 时间: 2016-1-28 18:03
2800000

作者: cxchust 时间: 2016-1-28 20:01
回复 8# albertyin

说的很有道理，学习了！

作者: DOONPENG007 时间: 2016-1-30 09:12
回复 7# kevin_nudt

一般情况下，应该是金线的泄放>铜线，线径越粗，过电流的能力越大。使用同样的键合方法吗？还是人工的？
测试时，样本容量有多大？

作者: kevin_nudt 时间: 2016-2-18 16:30
回复 11# DOONPENG007
使用的相同的键合方法，样本容量为2只，后改用小劈刀键合，曲线偏移，2KV下曲线偏移的管脚漏流由nA级增加到uA级

作者: kevin_nudt 时间: 2016-2-18 16:31
回复 11# DOONPENG007

小劈刀封装的芯片，样本为4只，均出现相同的现象

作者: kevin_nudt 时间: 2016-2-18 16:32
回复 11# DOONPENG007
可以给一些分析的方法和建议吗？谢谢

作者: kevin_nudt 时间: 2016-3-8 10:19
使用20um直径金线封装，ESD漏流有改善，从几十uA下降到10uA以内，但依然没有找到问题根源所在。经过检查分析确认，是由于芯片衬底通过粘片区连接到其中1个NC脚所致（出现ESD前后漏流变化的管脚均在该NC脚一侧，另一侧同类型对称的NC脚旁边的管脚没有出现ESD前后漏流变化），通过把该NC脚接地，再次进行ESD测试，IV曲线正常，芯片漏流正常（nA）级。

作者: DOONPENG007 时间: 2016-3-8 10:26
回复 7# kevin_nudt

一般来说是线径越粗，过电流的能力越大

作者: hehuachangkai 时间: 2021-7-27 10:51
不错的经验，记录一下

作者: cdw1986 时间: 2023-9-19 11:27

kevin_nudt 发表于 2016-3-8 10:19
使用20um直径金线封装，ESD漏流有改善，从几十uA下降到10uA以内，但依然没有找到问题根源所在。经过检查分 ...

请问你采用的胶水是导电胶吗？要不然怎么产生的电流啊

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