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标题: silvaco中这种情况怎么把电压加上去 [打印本页]

作者: 521gains    时间: 2015-6-8 22:43
标题: silvaco中这种情况怎么把电压加上去
go atlas
mesh space.mult=1
x.mesh loc=0.000  spac=0.100
x.mesh loc=0.500  spac=0.400
x.mesh loc=1.000  spac=0.100
x.mesh loc=1.500  spac=0.400
x.mesh loc=2.000  spac=0.100
x.mesh loc=2.500  spac=0.200
x.mesh loc=3.000  spac=0.100
x.mesh loc=3.500  spac=0.200
x.mesh loc=4.000  spac=0.100
x.mesh loc=4.500  spac=0.400
x.mesh loc=5.000  spac=0.100
y.mesh loc=-0.250 spac=0.050
y.mesh loc=-0.200 spac=0.050
y.mesh loc=-0.100 spac=0.001
y.mesh loc=-0.050 spac=0.020
y.mesh loc=0.000  spac=0.001
y.mesh loc=0.100  spac=0.050
y.mesh loc=0.500  spac=0.300
y.mesh loc=1.900  spac=0.050
y.mesh loc=2.000  spac=0.050
eliminate columns x.min=0.0 x.max=1.0 y.min=-0.12 y.max=-0.09
eliminate columns x.min=4.0 x.max=5.0 y.min=-0.12 y.max=-0.09   
region number=1 x.min=0   x.max=5   y.min=0     y.max=1.95   material=silicon
region number=2 x.min=0   x.max=5   y.min=-0.25 y.max=0      material=oxide
region number=2 x.min=0   x.max=5   y.min=1.95  y.max=2      material=oxide
region number=3 x.min=0   x.max=5   y.min=-0.1  y.max=0      material=SiGe
region number=4 x.min=1.5 x.max=3.5 y.min=-0.2  y.max=-0.1   material=poly
region number=5 x.min=1.5 x.max=3.5 y.min=-0.25 y.max=-0.2   material=Aluminum
region number=5 x.min=4   x.max=5   y.min=-0.25 y.max=-0.1   material=Aluminum
region number=5 x.min=0   x.max=1   y.min=-0.25 y.max=-0.1   material=Aluminum
region number=5 x.min=1.5 x.max=3.5 y.min=1.95  y.max=2      material=Aluminum
electrode name=emitter   x.min=1.5 x.max=3.5 y.min=-0.25 y.max=-0.2
electrode name=base      x.min=4   x.max=5   y.min=-0.25 y.max=-0.1
electrode name=base      x.min=0   x.max=1   y.min=-0.25 y.max=-0.1
electrode name=collector x.min=1.5 x.max=3.5 y.min=1.95  y.max=2  
doping uniform conc=2e14 n.type region=1
doping gauss conc=3e16 n.type region=1 peak=1.95 lat.char=0.7  char=0.06
doping gauss conc=8e19 p.type peak=-0.1 char=0.03 junction=0.0  region=3
doping gauss conc=6e20 n.type peak=-0.2 char=0.05 junction=-0.1 region=4
material material=Si        taun0=1.0e-7 taup0=1.0e-7
material material=SiGe      taun0=1.0e-8 taup0=1.0e-8 align=0.0
material material=Poly      taun0=1.0e-7 taup0=1.0e-7
material region=1 tc.a=2.27 tc.b=0 tc.c=0
material region=3 tc.a=7.9  tc.b=0 tc.c=0
material region=4 tc.a=2.27 tc.b=0 tc.c=0

#models   hcte
models   bgn  srh  auger  fldmob  conmob  lat.temp
impact selb
thermcontact number=1 y.min=1.95 y.max=1.95 ext.temper=300 alpha=1000
save outfile=yty.str
method block newton
solve init
output con.band val.band
log outfile=yty.log
method block newton trap maxtrap=50
contact name=base current
solve ibase=2e-5
solve vemitter=0 name=emitter

solve vcollector=45 ramptime=1.5e-9 tstop=4e-9 tstep=1e-10

save outf=yty1.str
tonyplot yty1.str
tonyplot yty.log
quit
作者: lwq_119    时间: 2015-6-9 09:13
回复 1# 521gains


   这是做的啥结构啊?
作者: lwq_119    时间: 2015-6-9 09:28
回复 1# 521gains


   你这个程序咋不收敛呢?
作者: 521gains    时间: 2015-6-9 12:54
回复 2# lwq_119
我做的是SiGe HBT 的结构
作者: 521gains    时间: 2015-6-9 12:54
回复 3# lwq_119

收敛了,我就不来问了
作者: lwq_119    时间: 2015-6-9 14:52
回复 5# 521gains

感觉你这个程序做的挺专业的呀,我还在研究你的程序呢。怎么联系你?在线聊一下
作者: 521gains    时间: 2015-6-10 10:28
回复 6# lwq_119 好啊,想聊程序哪方面的
作者: lwq_119    时间: 2015-6-11 15:40
回复 7# 521gains

主要还是请教一些问题,看你这个写的很专业。582931404
作者: 521gains    时间: 2015-6-12 20:35
回复 8# lwq_119 客气了,您问,只要我会的肯定给你说
作者: lwq_119    时间: 2015-6-15 09:10
回复 9# 521gains


   就是我现在在做一个JFET的模型,在从工艺athena上定义的时候,不太懂工艺上的事,然后我就先从简单的atlas上定义一个结构,当我定义到poly的时候,程序运行到doping的时候就自动停止了,提示说region找不到,一旦我把定义poly的那一行注释掉,就可以正常运行了。下面是我的代码go atlas
mesh space.mult=1
x.mesh loc=0.000  spac=0.100
x.mesh loc=0.200  spac=0.060
x.mesh loc=0.400  spac=0.060
x.mesh loc=0.600  spac=0.060
x.mesh loc=0.800  spac=0.060
x.mesh loc=1.000  spac=0.100
y.mesh loc=-0.500 spac=0.05
y.mesh loc=-0.400 spac=0.05
y.mesh loc=-0.300 spac=0.05
y.mesh loc=-0.200 spac=0.05
y.mesh loc=-0.100 spac=0.05
y.mesh loc=0.000  spac=0.05
y.mesh loc=0.500  spac=0.05
y.mesh loc=1.500  spac=0.10
y.mesh loc=2      spac=0.05
y.mesh loc=3.000  spac=0.20
y.mesh loc=4.000  spac=0.20
y.mesh loc=5.000  spac=0.20

#psub  
region num=1 silicon           x.min=0 x.max=1 y.min=0 y.max=5              
region num=2 oxide x.min=0     x.max=1   y.min=-0.2     y.max=0
#region num=3 oxide x.min=0 x.max=1.5 y.min=4.8 y.max=5
#region num=4 oxide x.min=3.5 x.max=5  y.min=4.8 y.max=5         
#region num=5 poly  x.min=0.35 x.max=0.55 y.min=-0.3 y.max=-0.2

#nwell
region num=6 silicon x.min=0.05   x.max=0.95   y.min=0     y.max=2.5     
#n+
region num=7 silicon x.min=0.15     x.max=0.25   y.min=0   y.max=0.8   
region num=8 silicon x.min=0.6     x.max=0.8   y.min=0     y.max=0.8   
#gate
region num=9 Al x.min=0.35   x.max=0.55   y.min=-0.5     y.max=-0.35   
#D/S
region num=10 Al x.min=0.15     x.max=0.25   y.min=-0.3     y.max=-0.2   
region num=11 Al x.min=0.6     x.max=0.8     y.min=-0.3     y.max=-0.2
#sub
region num=12 Al x.min=1.5     x.max=3.5 y.min=4.8      y.max=5  

elec name=gate x.min=0.35   x.max=0.55    y.min=-0.5     y.max=-0.35
elec name=drain x.min=0.15     x.max=0.25    y.min=-0.3     y.max=-0.2
elec name=source x.min=0.6     x.max=0.8   y.min=-0.3     y.max=-0.2
elec name=sub   x.min=1.5    x.max=3.5   y.min=4.8      y.max=5  


#psub
doping  uniform conc=4e12 p.type region=1
#nwell erfc[(junc-peak)/char]=0.1 so (junc-peak)/char=1.15 and you can count the char  
doping gauss conc=5e13 n.type peak=0.5 char=1.3 junc=2 region=6
#n+
doping gauss conc=5e13 n.type peak=0.25 char=0.22 junc=0.5 region=7
doping gauss conc=5e13 n.type peak=0.25 char=0.22 junc=0.5 region=8


material material=Si        taun0=1.0e-7 taup0=1.0e-7
material material=Poly      taun0=1.0e-7 taup0=1.0e-7
material region=1 tc.a=2.27 tc.b=0 tc.c=0
material region=3 tc.a=7.9  tc.b=0 tc.c=0

save outf=JFET3.str
tonyplot JFET3.str
作者: 521gains    时间: 2015-6-15 16:44
回复 10# lwq_119
不好意思,工艺的我也不懂,我直接是器件,然后特性仿真
作者: 杨义    时间: 2015-6-15 22:11
问个问题 ,用atlas的时候 高斯分布怎么用啊,为什么下面有块区域浓度最低 ( , 下载次数: 43 )
作者: lwq_119    时间: 2015-6-16 09:10
回复 12# 杨义


   好像是因为你的char这个值没有设置好,要按照那个公式来计算出来一个大概的值
作者: 杨义    时间: 2015-6-16 09:25
回复 13# lwq_119
这个是官方的例子,就是那个软件里面BJT4,当然我写的程序也遇到这个情况
作者: 杨义    时间: 2015-6-16 10:41
回复 13# lwq_119

你好,能说说那个公式的N(y)  和y分布代表什么啊,刚开始用这个软件,实在是被弄得晕了

( , 下载次数: 42 )
作者: lwq_119    时间: 2015-6-16 11:46
回复 15# 杨义


   应该是这个公式吧refc[(junc-peak)/char]=0.1,这样来求解char哎,其实这公司的找度娘求助,最终无果,我是用excel里的公式算出来的一个大概值。
作者: 杨义    时间: 2015-6-19 11:16
回复 16# lwq_119


   这个公式在手册多少页啊,怎么没看到过呢
作者: lwq_119    时间: 2015-6-23 11:41
回复 17# 杨义

这个公司在atlas的35页有讲
作者: 撩拨懵懂    时间: 2016-9-20 21:43
我是一个silvaco软件的初学者  我也想要请教下  可以加qq聊聊不  真的是很着急  遇到好多困难都不知道怎么处理  网格和步长都换了好多次了 都还是不对  实在想找个高人求教
作者: aria_soong    时间: 2017-4-28 17:22
楼主,可不可以请教一些silvaco编程的知识呢,生长Ge组分渐变的SiGe层在athena仿真中应该如何编程呢?从Ge含量为0%增长到15%,Ge生长速率为10%-Ge um^(-1),拜托大神了。




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