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标题: 请问如何设计一个LDO的shutdown电路 [打印本页]

作者: cc10000 时间: 2015-1-7 14:35
标题: 请问如何设计一个LDO的shutdown电路
如果LDO是24V input, 5V output的话，enable pin=5V/0V，如何能够将这个LDO彻底关掉。

作者: hehuachangkai 时间: 2015-1-7 15:47
不用的时候，数字给enable信号不就行了？

作者: cc10000 时间: 2015-1-7 15:56
本帖最后由 cc10000 于 2015-1-7 16:00 编辑

回复 2# hehuachangkai

你好，这个高压电路里MOS管的栅源电压没办法承受高压，是5g24d的mos管，因此不能按照通常的shutdown做法。

作者: hehuachangkai 时间: 2015-1-7 16:31
回复 3# cc10000

你可以用一个level shift将过来的数字信号给升起来嘛。

作者: cc10000 时间: 2015-1-7 16:46
回复 4# hehuachangkai

然后呢？控制管的栅源电压不还是可能承受高压吗

作者: kwankwaner 时间: 2015-1-7 17:55
回复 3# cc10000

vgd有限制吗

作者: hehuachangkai 时间: 2015-1-8 14:01
回复 5# cc10000

那请问你24V电路怎么实现的？它都能承受高压，说明是可以用高压管子的，在通路上加一个相同类型的使能管难道就不能关闭？你还是上电路图吧，问题描述本来就含糊不清。

作者: cc10000 时间: 2015-1-8 15:05
回复 6# kwankwaner

没有的

作者: kwankwaner 时间: 2015-1-9 16:16
回复 8# cc10000

pmos做开关，用nmos下拉一串电阻分压输出作为pmos栅极开关，比如输入5Vnmos打开分压输出为24*（19/24）=19，输入0Vnmos关输出为24，那么p管vgs始终保持<5

作者: cc10000 时间: 2015-1-10 13:21
回复 9# kwankwaner

非常感谢你的帮助，你的意思是这样的吧 ( , 下载次数: 101 )

作者: goto1tw 时间: 2015-1-11 11:24
這方法用的電阻小時真浪費電流24v/24k=1mA, 用大電阻24V/24M=1u卻浪費面積

作者: leehying 时间: 2015-1-11 13:00
( , 下载次数: 59 )

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回复 10# cc10000

也可以是这样，此结构缺点就是工作电流大。可以考虑功率管换成nldmos，配合charge pump。

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作者: daly1986 时间: 2015-1-11 17:18
回复 10# cc10000

看来LZ想要小面积+低功耗，免费帮LZ设计一个 ( , 下载次数: 69 )

另外友情提醒LZ：
即使是最小尺寸的高压MOS面积，也往往能够跟500/1的电阻面积抗衡

作者: semico_ljj 时间: 2015-1-12 10:55

作者: semico_ljj 时间: 2015-1-12 12:09
很好。。

作者: kwankwaner 时间: 2015-1-12 20:47
回复 10# cc10000

是的，其他人说的方案都有可靠性问题

作者: wsbdave 时间: 2016-3-30 16:16
回复 13# daly1986

可以解释一下这个电路怎么工作的吗？

作者: bomb40 时间: 2016-3-30 16:26

回复 daly1986

可以解释一下这个电路怎么工作的吗？
wsbdave 发表于 2016-3-30 16:16

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