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标题: 急!怎样过滤掉电容的propoty [打印本页]

作者: 大江南北    时间: 2014-12-25 11:20
标题: 急!怎样过滤掉电容的propoty
(, 下载次数: 81 )
如图所示
怎样过滤掉电容的propoty?
谢谢
作者: forever'    时间: 2014-12-25 14:08
改网表,改成一样的就ok了
作者: miaoyue1999    时间: 2014-12-25 14:33
改到3%,就可以了,不过不建议
作者: 大江南北    时间: 2014-12-25 15:30
回复 2# forever'


    太多的,改不来
作者: 大江南北    时间: 2014-12-25 15:40
我的lvs file如下:
最前面这样定义
(, 下载次数: 105 )
............
(, 下载次数: 76 )
.............
(, 下载次数: 78 )
另外我用的是1p5m,可是1P5M没有TRACE PROPERTY的语句,我想
肯定是用的1P2M那里的TRACE PROPERTY
因为它们都调用“MIMCAP_TRACE”
不懂看file,请帮我看看我的猜想是否正确?

如果我改最前面的语句,后面调用的应该都改了,是吧?危险
作者: 大江南北    时间: 2014-12-25 15:41
回复 3# miaoyue1999


    也这么觉得,比较危险
作者: xxmule    时间: 2014-12-26 09:15
很奇怪怎么提出小数点后这么多位,怎么画的?调用的pcell吗?

回复 1# qianjun526
作者: 大江南北    时间: 2014-12-26 09:18
回复 7# xxmule


    倒角了
作者: xxmule    时间: 2014-12-26 09:20
为什么要倒角呢?



回复  xxmule


    倒角了
qianjun526 发表于 2014-12-26 09:18


作者: 大江南北    时间: 2014-12-26 09:25
回复 9# xxmule


   设计需要
作者: xxmule    时间: 2014-12-26 09:29
什么设计电容需要倒角,学习学习下


回复 10# qianjun526
作者: xxmule    时间: 2014-12-26 09:43
把倒角去掉,应该就没有问题了。

回复 8# qianjun526
作者: layout123    时间: 2014-12-26 14:16
找到 trace_vaule 这个变量,将其值改为3
作者: 大江南北    时间: 2014-12-26 15:57
回复 13# layout123


    谢谢
    我很奇怪我的电容四个角都倒角了
    怎么L=9,W=8.77778了呢?
    应该是一样的才对啊
作者: 大江南北    时间: 2014-12-26 15:59
回复 11# xxmule


    尖角做不准,外加电场容易积聚在尖端
    倒角的话就都是均匀的
作者: 大江南北    时间: 2014-12-26 16:00


回复  layout123


    谢谢
    我很奇怪我的电容四个角都倒角了
    怎么L=9,W=8.77778了呢?
   ...
qianjun526 发表于 2014-12-26 15:57




    有人帮我解答下吗??
作者: 大江南北    时间: 2014-12-26 16:09
rule这样写的
(, 下载次数: 60 )
不懂,是什么意思呢?
作者: duke_wang    时间: 2014-12-26 17:14
mark掉这个电容的TRACE PROPERTY的地方,应该可以
作者: 大江南北    时间: 2014-12-29 09:12


rule这样写的

不懂,是什么意思呢?
qianjun526 发表于 2014-12-26 16:09




    没人 帮忙解答下的吗
作者: xxmule    时间: 2014-12-29 09:35
rule不要随便改,话说这是design要求倒角的吗?如果不多,忽略这些错就可以了。

回复 19# qianjun526
作者: miaoyue1999    时间: 2014-12-29 11:24
match 的cap 倒角有时候会这么做,因为要求的是相对值,不是绝对值
作者: 大江南北    时间: 2014-12-29 12:49
回复 20# xxmule


    想知道为什么w和l不一样?
作者: 大江南北    时间: 2014-12-29 12:50
回复 21# miaoyue1999


     想知道为什么w和l
     run出来为什么不一样?
作者: leshi    时间: 2014-12-30 14:34
电容不是很多的话,就当假错好了
作者: CWLO    时间: 2014-12-30 14:42
作者你好,通常畫layout MIM電容的值是要準確的,是不能有誤差率的。如果有的話,要請Designer檢查確認。
上面回答希望對作者有幫助。
作者: 大江南北    时间: 2014-12-30 16:51
谢谢大家了
以上回复都不是我想要的答案,看来无解了
作者: Rucas    时间: 2014-12-30 17:27
回复 17# qianjun526


   那要看你Rule中的seedLayer和auxlayer 是怎么定义的了。
作者: 大江南北    时间: 2014-12-30 18:11
回复 27# Rucas


    这2个在user guidline上是关键字
作者: Rucas    时间: 2014-12-31 09:54
回复 28# qianjun526


   什么叫关键字?
这就是你的LVS Rule中特殊定义的两层Layer
作者: 大江南北    时间: 2015-1-4 10:14
回复 29# Rucas


    谢谢,再回去看看
作者: Yestare    时间: 2015-1-7 09:28
你可以在設置VARIABLE trace_XXX KKK,trace_XXX為對應需要忽略的內容,如:L,W,Area等。KKK為忽略?%。不過不建議這種做法,最好還是follow 設計,不然跑后仿會有誤差。
作者: leonling933    时间: 2015-1-9 17:34
看情况,不论seedlayer 和 auxlayer是tf的定义层 还是runset中间运算出来的层次
你说的倒角在layout的时候,只影响到了seedlayer的面积。
从你PO出来的图看起来,auxlayer貌似是个9um X 0.1um的矩形,L的取值是通过这层来算出来的
你的倒角只改变了seedlayer的面积,所以W的值就变成了这个样子




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