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标题: 增加驱动能力的缓冲器设计 [打印本页]

作者: 赛江南 时间: 2014-7-18 12:09
标题: 增加驱动能力的缓冲器设计
IC设计新手，现在设计了一个运放增益在60dB左右，带宽2M。可驱动能力不够，现在需要驱动10欧姆电阻和10nF的电容。需要设计一个缓冲器不知采用什么样的拓扑结构，求给各位大神指点下。。。。学习资料介绍也行。。。先谢过

作者: victor0o0 时间: 2014-7-18 12:49
Class AB output stage?

作者: 赛江南 时间: 2014-7-18 13:11
回复 2# victor0o0

十分感谢你的回复，在拉扎维的那本书中9.7有提到一种单位的增益缓冲器，只是我不知道它能否驱动10欧姆的负载。。。

作者: hyperion007 时间: 2014-7-18 13:39
帮楼主顶顶

作者: semico_ljj 时间: 2014-7-18 15:45
seeing

作者: Vdsat 时间: 2014-7-18 20:47
class AB，驱动10欧姆电阻，如果输出均值1V，就要100mA的输出电流能力

作者: 赛江南 时间: 2014-7-18 20:52
回复 6# Vdsat

是这样。。不知有什么其他的建议吗。。。

作者: Vdsat 时间: 2014-7-18 21:53
回复 7# 赛江南

看论文吧，这东西到处都是；

作者: IC.Michael 时间: 2014-7-19 18:16
我也刚好遇到这个问题呢，头疼的很。

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