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标题: MOS工作在弱反型区的优缺点是什么？ [打印本页]

作者: fumes 时间: 2014-6-26 14:00
标题: MOS工作在弱反型区的优缺点是什么？
有些情况会故意工作在弱反型区，为什么？

作者: csslyou 时间: 2014-6-26 14:49
有些电路对功耗比较苛刻，因此让MOS管工作在弱反型区得到较低的电流，同时也可以得到较高的跨导。缺点就是弱反型区的速度比较慢，使得电路工作频率不可能很高。折中的关系！现在一些基准电压电路也通过MOS管工作在弱反型区得到正温度特性的热电压VT。

作者: sea11038 时间: 2014-6-26 14:51
拉扎维教材有讲亚阈值工作的器件，Allen教材有讲微功耗运放的，你可以看看

作者: onepieceligen 时间: 2014-6-26 14:52
low power design by making the MOS more like a "BJT". The potential panelties includes feature freq, reliability, and maybe time-to-market due to special cares on sub biasing issues.

作者: fumes 时间: 2014-6-26 15:28
回复 4# onepieceligen

对NMOS来说，就是一个NPN管是不? 但是衬底是接最低电位的，这样的NPN管是截止的，或者说发射结零偏，怎么当NPN管来用呢？

作者: onepieceligen 时间: 2014-6-26 23:43
回复 5# fumes

跳出简单的教科书第二章式的模型，回忆你本科学过的半导体物理。当栅压降低到一定程度之后，沟道和耗尽层就不能用强反型时的模型来近似了，说的直白一点，当强反型的时候，沟道流过的电流全部是漂移电流，但是在亚阈值区，电流会慢慢以扩散电流为主，从这个角度来说表现出了BJT似的exp-law 而不是MOS在强反型的square-law。这也是为啥说亚阈值区省电，因为他的电流效率高，e^x 永远比 x^n 高阶，更不要说n=1~3的MOSFET了。这个n不是亚阈值参数那个n，别搞混了。建议LZ多去看看物理的书吧，我觉得微电子人挣不到钱就是因为抛弃自己的根本--物理，虽然短期看来可能没有用。。。但是往前几十年的ICer，很多都是物理出身

作者: semico_ljj 时间: 2014-6-26 23:48
回复 6# onepieceligen

做模拟设计器件物理确实需要

作者: onepieceligen 时间: 2014-6-26 23:55
http://blog.sciencenet.cn/blog-550717-464721.html 孟教授的博客好东西分享给LZ

作者: angelaboy 时间: 2014-7-12 08:54
狐狸读书真是有趣就像玩毛毛虫。

作者: 何大爷 时间: 2014-7-12 10:17
gm/Id 最大 efficiency好

作者: fumes 时间: 2014-7-25 12:23
回复 10# 何大爷

我真不明白gm/id代表了什么意义

作者: fuyibin 时间: 2014-7-25 13:39

回复 fumes

跳出简单的教科书第二章式的模型，回忆你本科学过的半导体物理。当栅压降低到一定程 ...
onepieceligen 发表于 2014-6-26 23:43

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"挣不到钱就是因为抛弃自己的根本--物理" 这个结论是怎么得出的？
真的学好物理就能挣到钱？

作者: onepieceligen 时间: 2014-7-25 14:19
回复 12# fuyibin

可能有点过于绝对了，毕竟物理学的最好的人都去华尔街了。我只是看到上一代IC人（主要是西方，至少留美）很多都是物理PhD，他们才是真正打江山的人。
现在的IC分工越分越细，已经从技术critical变成管理运营critical，技术已经变成第三把，第四把交椅了。究其原因：我觉得一方面是因为IC已经成熟，皮毛的物理学（本科级别）不如现存的EDA，经验和文档来得快；另一方面是因为没有技术大牛（定义为能解决一般人解决不了的IC高级版难题--我认为通常需要极高的物理学造诣）替技术人群争取权益，导致后进者逐渐沦为边缘。

这就像攻城拔寨用的是特种部队，但是打下来以后就用一些民兵守着即可。。。如果想举大计，还是得变成精锐部队，对不对？薪酬是靠贡献说话的，我觉得物理学得好，能解决工程遇到的大问题，或者给产品带来大突破。

这也可能沦为一个伪命题，因为如果物理学那么好，为何不去华尔街？

作者: fuyibin 时间: 2014-7-25 15:37

回复 fuyibin

可能有点过于绝对了，毕竟物理学的最好的人都去华尔街了。我只是看到上一代IC人（ ...
onepieceligen 发表于 2014-7-25 14:19

登录/注册后可看大图

物理学得好也不一定能去华尔街，那还不如说随便得个十个八个诺贝尔奖，奖金也不少。
你举得以前那一批做ic的成功，并不是因为他们物理学得好
主要是因为那个时代是半导体的时代，那些人只是占了那个时代的光罢了，如果放到现在，也会一样的平庸
现在这个时代是互联网和金融唱主角的年代，人家大专写个代码还赚3w一个月呢
大部分人都只能被历史潮流裹挟，只有屈指可数的领袖才能立于潮头或者开创历史

作者: onepieceligen 时间: 2014-7-25 16:09
回复 14# fuyibin

恩，我同意你的观点，形势大于人。但是你也要承认残酷的现实，留在IC圈的表现一般或者说混的一般，不一定是IC degrades了IC圈内的人，而更有可能是进入这个圈子的人本身就水平一般。因为人是活的，是市场化的，条件不好，物理大牛自然不会再进来。二十年前多少搞物理的都搞电路啊，现在呢。。。诺贝尔奖本来就不给盈利性质很强的方向。

作者: elec_888 时间: 2014-7-26 04:14
that was a useful discussion guys

作者: lionelwait 时间: 2014-7-26 09:52
回复 5# fumes

这个NPN只是伏安特性的类似，并不是源漏作为N，衬底作为P的结构。

作者: apac 时间: 2014-8-10 11:14
在固定電流下能達到最大的gm,

input pair的gm大可減輕後級的mismatching效應.

作者: tobytian 时间: 2015-11-24 09:27
回复 8# onepieceligen 内容特别好

作者: fengtang2332 时间: 2016-3-11 17:18
回复 8# onepieceligen

确实是好东西，读过了。

作者: hjp667 时间: 2020-8-26 14:04
谢谢分享

作者: villain24 时间: 2020-11-3 16:03

fumes 发表于 2014-7-25 12:23
回复 10# 何大爷

效率问题啊，比值越大，就相当于能用小的电流实现较大的跨导，efficiency高，适合做低功耗的

作者: 红红的西瓜 时间: 2021-11-3 16:02

apac 发表于 2014-8-10 11:14
在固定電流下能達到最大的gm,

input pair的gm大可減輕後級的mismatching效應.

请问一下，为什么输入对的大gm可以减去后级的mismatching效应？应该从哪个角度

作者: IC_zd 时间: 2022-8-10 10:16

红红的西瓜发表于 2021-11-3 16:02
请问一下，为什么输入对的大gm可以减去后级的mismatching效应？应该从哪个角度
...

lz有答案了吗

作者: Explosion 时间: 2024-12-24 11:35

sea11038 发表于 2014-6-26 14:51
拉扎维教材有讲亚阈值工作的器件，Allen教材有讲微功耗运放的，你可以看看 ...

请问MOS管再弱反型区工作和在亚阈值区域工作是一个意思吗

作者: sea11038 时间: 2024-12-24 22:02

Explosion 发表于 2024-12-24 11:35
请问MOS管再弱反型区工作和在亚阈值区域工作是一个意思吗

基本上是一个意思，不同的定义方式

作者: Explosion 时间: 2024-12-25 08:47

sea11038 发表于 2024-12-24 22:02
基本上是一个意思，不同的定义方式

好的好的，感谢！

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