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标题: 总有人喜欢用多子少子解释guard ring [打印本页]
作者: fuyibin 时间: 2014-6-18 23:17
标题: 总有人喜欢用多子少子解释guard ring
本帖最后由 fuyibin 于 2014-6-19 10:57 编辑
发现有不少layout engineer在用多子少子解释guard ring的作用，不知道是哪位老师教的，既玄乎又不直观还不准确。
有两种ring:
ptap, psub pick up，接到地，提供低阻通路，把noise电流泄放掉。
nwell ring，利用反向pn在psub上产生的depletion layer提高噪声耦合路径的电阻，使得噪声衰减。
还有几个问题是用多子少子解释比较牵强的
1. nwell ring真的吸收了电子吗？pn 结反偏，是高阻状态，只有极少的反向漏电流，此外就是反向pn结耗尽层电容，因此nwell ring吸收不了噪声电流。
2. 对于隔离，大家通常会增加space，使两个模块远离，多子少子情况又是什么样呢？
3. 还有一种做隔离的方法， native psub，该区域没有pwell
4. deep nwell ring隔离效果会比nwell ring更好，多子少子和nwell ring 有什么差别？
总结一下，deep nwell ring/nwell ring 效果最好，其次是native pusb 或增加space，ptap
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-19 09:18
楼主可以详细的解释一下吗？
作者: ygyg100 时间: 2014-6-19 09:26
发现有不少layout engineer在用多子少子解释guard ring的作用，不知道是哪位老师教的，既玄乎又不直观还不准 ...
fuyibin 发表于 2014-6-18 23:17
玄乎？呵呵。
“ptap, psub pick up，接到地，提供低阻通路，把noise电流泄放掉”——低阻通路是给谁提供的？难道是光子？noise电流难道是家里水龙头里的水分子形成的？
“nwell ring，利用反向pn在psub上产生的depletion layer提高噪声耦合路径的电阻，使得噪声衰减”——有这方面的作用，但是更主要的是NWELL阻挡了载流子的路径，使大部分载流子不能跑到其他地方去，对于P衬底工艺主要是阻挡了多子空穴和能量小的少子电子，能量大的电子进入nwell被泄放了。
看问题的角度不同而已。大部分layout工程师都不太懂电路，如果用电路的原理去解释可能很多人不明白。layout工程师可能有一些工艺基础，用载流子去解释会容易理解一些。
要说直观，用载流子解释也肯定是最直观的，原因很简单，电路工作的本质是电子的运动。
作者: sunshuanghao 时间: 2014-6-19 09:36
顶下,等待高手解答!
作者: zhang209a 时间: 2014-6-19 09:44
那敢问楼主你说的noise电流不就是多子少子的流动吗？
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-19 09:57
回复 3# ygyg100
能否解释一下ptap？
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-19 09:59
回复 3# ygyg100
我觉得应该和nwell的原理差不多吧，并不是提供所谓的低阻通路吧，求解释啊！！
作者: ygyg100 时间: 2014-6-19 10:41
回复 ygyg100
我觉得应该和nwell的原理差不多吧，并不是提供所谓的低阻通路吧，求解释啊！！
荣耀3C 发表于 2014-6-19 09:59
站在电荷的角度看，原理是一样的，但是非要分空穴和电子的话就有区别。多子保护主要是为了吸收乱跑的多子，既然要吸收，那就要给多子提供一个低阻通道，让多子更容易被吸走，所以这样说也是没错的；少子保护是为了吸收少子，道理同吸收多子。但是同时呢，多子保护也能起到阻挡少子的作用，少子保护也能起到阻挡多子的作用。为什么？因为电子总是往最高电位的地方跑，而空穴总是往最低电位的地方跑，当然本质上只有电子在动。
以P衬底为例，多子保护是P，比如Ptap，少子保护是N，比如Nwell，Ptap接地，Nwell接电源。接地的Ptap可以吸收多子空穴（指那些不希望出现的衬底电流中的空穴），可以排斥少子电子（也是不希望出现的）；接电源的Nwell可以吸收少子电子（不希望出现的），排斥多子空穴（不希望出现的）。保护的原理可以分为两部分来看，一部分的空穴或电子被吸走了，一部分的空穴或电子被挡住了，被吸走是最理想的，不会影响任何电路，吸不走的就被挡住，虽然没有被吸走好，但是至少可以保证不影响其他地方的衬底。Nwell一般比ptap深得多，所以可以起到的阻挡作用比ptap强得多。只要不是大注入或很高的温度，我认为Nwell的阻挡作用比吸收作用更重要，因为毕竟衬底里面起作用的主要还是空穴。
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-19 14:05
回复 1# fuyibin
楼主，只用“多子少子”解释guard ring有点片面，但应该和其他方法结合起来，也不能撇开“多子少子”，毕竟噪声的本质还是要追溯到电子的。
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-19 14:14
回复 3# ygyg100
如何说明 “ptap, psub pick up，接到地，提供低阻通路，把noise电流泄放掉”不准确啊？
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-19 14:33
回复 3# ygyg100
“更主要的是NWELL阻挡了载流子的路径，使大部分载流子不能跑到其他地方去，对于P衬底工艺主要是阻挡了多子空穴和能量小的少子电子，能量大的电子进入nwell被泄放了”，你的意思是pn结被反向击穿了，有电流通过了？
作者: gaojun927 时间: 2014-6-19 15:03
回复 1# fuyibin
你这个理解对nwell有本质的问题。反偏的pn结有很强的少子收集能力，而不仅仅是一个高阻。这个在半导体物理里和晶体管原理里都有体现。反偏pn结之所以电流很小，不是电压不够，而是载流子不够，所以如果附近有载流子，会被电场马上拉过去，起到很强的伪收集级作用。
作者: fuyibin 时间: 2014-6-19 15:11
回复 12# gaojun927
少子多了反偏pn结就有电流了？
作者: ygyg100 时间: 2014-6-19 15:16
回复 ygyg100
“更主要的是NWELL阻挡了载流子的路径，使大部分载流子不能跑到其他地方去，对于P ...
荣耀3C 发表于 2014-6-19 14:33
一般所说的“PN被击穿”是一种宏观现象了，就是PN结某点电场强度太大导致齐纳或雪崩击穿。但是在微观上，半导体中时时处处有电子和空穴被激发出来、被复合，而且电子不停地做运动，有热运动，有因为电场的漂移运动，也有浓度梯度造成的扩散运动。其中总有一些电子或空穴的能量达到或超过PN结的势垒从而可以穿过耗尽区，或者到达PN结边缘时能量不足以穿过，但是会被PN结反偏的强电场拉过耗尽区。然而这些电子或空穴的数量是很有限的，不足以形成宏观上观察到的击穿的电流。
这还牵涉到对“噪声”的理解。我觉得噪声在本质上一是正常电流通路以外的载流子闯进来了，二是正常电流通路中的载流子跑出去了，三是载流子没有按照预设的方向流动。guardring的作用就是从这三个方面来考虑，广义的guardring并不只是指模块和模块之间的guardring，器件和器件之间的其实也是，比如每个PMOS旁边的ntap和NMOS旁边的ptap都是起到了guardring的作用，防止latch up在本质上也就是防止噪声。
作者: fuyibin 时间: 2014-6-19 15:35
本帖最后由 fuyibin 于 2014-6-19 15:39 编辑
回复 14# ygyg100
如果你坚持用多子少子解释guard ring，那实际当中画多宽的guard ring就够了？
画好了guard ring能够达到多少dB的isolation？比如说我要实现40dB的隔离，那么应该怎么画guard ring?
是不是画layout全凭经验或者感觉，或者完全取决于今天的心情或天气......
作者: ygyg100 时间: 2014-6-19 15:52
回复 ygyg100
如果你坚持用多子少子解释guard ring，那实际当中画多宽的guard ring就够了？
画好了gu ...
fuyibin 发表于 2014-6-19 15:35
我说了，只是看问题的角度不同，多子少子不过是在物理层面上理解，如果理论正确，不管从哪个角度解释都没错。实际中当然还是要依靠电路理论去计算了，否则我还要把I=Q/t重新定义一下......。
作者: gaojun927 时间: 2014-6-19 15:54
回复 13# fuyibin
那么你认为bipolar的bc结反偏，c级电流是怎么出现的？
作者: fuyibin 时间: 2014-6-19 15:58
回复 fuyibin
那么你认为bipolar的bc结反偏，c级电流是怎么出现的？
gaojun927 发表于 2014-6-19 15:54
没有be结正偏，能冲破反向pn结势垒？
那你画条guard ring，算个隔离度试试，画多少算是够了？
作者: fuyibin 时间: 2014-6-19 16:04
回复 16# ygyg100
用多子少子是没法算清楚guard ring的隔离作用的，赶紧抛弃这种陈旧的观念吧
用电阻模型很容易就可以估算出guard ring 的隔离效果啦
只需要在layout 上量一下距离就差不多啦
作者: ygyg100 时间: 2014-6-19 16:11
gaojun927: 不要再纠缠了，这个帖子到此为止。
作者: gaojun927 时间: 2014-6-19 16:16
也许大家各自的出发点就不同。先说什么是干扰，在pll等电路里，数字电路引起ground bounce，然后通过衬底影响到vco，这是一种干扰。功率器件里一开一关，使得周边的电路几乎无法正常工作，这也是一种干扰。你喜欢用隔离度来举例子，也许在有的情况下，另一个人喜欢用晶体管的beta来反映抑制能力（这不是虚构的），其实无非是根据个人碰到的实际情况来建造一个合适的模型而已。
作者: dabing 时间: 2014-6-20 11:32
回复 1# fuyibin
请问电子和空穴在电场中的运动方向？ 你会理解别人为什么说多子少子,另外，pn结的势垒图也可以好好看看，有用的哈
作者: fuyibin 时间: 2014-6-20 13:35
回复 22# dabing
又不是不知到多子少子，问题是这种理论毫无实践指导意义
有些整天就知道用多子少子忽悠人
我让具体算一个guard ring的隔离度，结果都哑巴了
就知道用多子少子理论在做guard ring的layout engineer有多浮夸多虚了
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-20 14:05
回复 23# fuyibin
那你就说说隔离度怎么算吧，好让我们开开眼，以前不知道这个概念啊！
作者: fuyibin 时间: 2014-6-20 14:41
回复 fuyibin
那你就说说隔离度怎么算吧，好让我们开开眼，以前不知道这个概念啊！
荣耀3C 发表于 2014-6-20 14:05
isolation(dB)=20*log(noise couple path imepdance/local pick up gound impedance)
举个简单例子
噪声源从衬底耦合到受保护模块，这个路径电阻100欧姆，
受保护模块的衬底ptap和gnd电阻1欧姆
那么噪声源的地有100mV的ground bounce，到我们受保护模块的地就会有大约1mV的干扰
至于如可估算噪声耦合路径的电阻，这就需要个人的基础扎实，知识全面，对半导体工艺制程熟悉了
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-20 14:46
回复 25# fuyibin
能否解释的再清楚些，最起码解释解释你的公式啊！！！
作者: fuyibin 时间: 2014-6-20 14:51
回复 26# 荣耀3C
公式？电阻分压不会算啊，100ohm 串联1ohm
... 我无语了
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-20 15:10
回复 27# fuyibin
我是让你解释解释公式中衬底ptap电阻的估算好不好
作者: fuyibin 时间: 2014-6-20 15:22
回复 28# 荣耀3C
ptap电阻 pwell电阻+ p+电阻 + contact 电阻+ metal routing电阻
作者: dabing 时间: 2014-6-20 15:55
回复 29# fuyibin
说的没错，但是是分布式还是集总参数，你这个还是应该说清楚如果按你这个表达式，我们理解为集总参数，那么对实际又有何作用。
你问别个，别个没有用电子和空穴给你解释清楚，第一，可能确实别人理解不够深入，这个确实需要理解能力和时间的积累
第二，别人解释清楚了，但是你总是纠结在多子少子，所以处处为难别人，这个就是你的不对了哈
总之，问题是用来讨论的，不是用来做人身攻击的。
如果自己没有理解清楚，可以看看《the art of analog layout》guardring那一章节，另外基本的电场理论还是需要的，我觉得这个是认识这个问题的根本
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-20 16:03
回复 25# fuyibin
能否简单的透露下估算噪声耦合路径电阻的基本方法啊？？
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-20 16:17
本帖最后由 荣耀3C 于 2014-6-20 16:18 编辑
建议大家仔细研读《模拟电路版图的艺术》一书469～474页“保护环"一节再下结论吧，作者已经作了权威性的解释，大家不要再片面的理解了，到此为止吧，各位！！！
作者: 729050850 时间: 2014-6-20 17:35
书看得少，自然就少见多怪
guard ring 的本质就是寄生出来的集电极C，人为去利用这个寄生，不是所有寄生都有坏处
散会吧
作者: fuyibin 时间: 2014-6-21 20:40
书看得少，自然就少见多怪
guard ring 的本质就是寄生出来的集电极C，人为去利用这个寄生，不是所有寄生都 ...
729050850 发表于 2014-6-20 17:35
又一个扯淡的解释，等你能利用寄生bipolar时候，芯片早就latch up了。估计连有几个寄生bipolar都数不清，还口口声声要利用寄生呢。
作者: 荣耀3C 时间: 2014-6-23 10:15
回复 14# ygyg100
讲得非常好，十分感谢！！
作者: iutin 时间: 2014-6-25 17:22
The effect of guard ring on the device is a problem. Thus, if we can simulation the impact of the guard ring on the process we can choose a better device when implement the layout design.
作者: 版图漫游者 时间: 2014-6-27 16:13
其实反而说复杂了，简单的利用漂移和扩散运动来分析guardring的构造最简单，至于电位，没有说一定接电源或者一定接最低电位，可以浮动的
作者: fuyibin 时间: 2014-6-30 13:37
本帖最后由 fuyibin 于 2014-6-30 13:42 编辑
其实反而说复杂了，简单的利用漂移和扩散运动来分析guardring的构造最简单，至于电位，没有说一定接电源或者 ...
版图漫游者 发表于 2014-6-27 16:13
你确定浮动的guard ring会有用？那收集过来的电荷泄放到哪里去啊？总不能只进不出吧
作者: gaofery 时间: 2014-8-28 16:45
学习了
作者: dinggo 时间: 2014-8-28 22:51
楼主，你钻死胡同了；多子少子理论是非常有用的，这也是半导体器件的本质，可不是一个电阻分压体系所能够代替的，但这并不是说电阻分压体系方式建模完全不对，我觉得楼主仅仅是把这这个模型扩大化使用了，在多子（比如p型sub之间有空穴电流，说穿了就是有一个psub点位是nosie的，假设一个psub是绝对0点，则他们之间的压差detav=I*R）情况下，电阻建模体系是很好的理解方式，也很正确，这点在《Substrate Noise Coupling in RFICs》上有很多更具体的仿真与实例；至于少子电流，请收集论坛中关于latch-up的文章，有的给出了比较详尽的器件或者结构载流子（电子或者空穴）的分布仿真图。
隔离度我看到的还是射频类提得最多
看完以后再说此话题吧，否则真的是多说无意，甚至还完全变味了
作者: hszgl 时间: 2014-8-29 12:57
本帖最后由 hszgl 于 2014-8-29 12:58 编辑
顶楼主。
各位坚持“多子少子”理论的同仁，欢迎在pcb级guardring上发展此理论，呵呵。
作者: hszgl 时间: 2014-8-29 13:03
回复 40# dinggo
这么说吧，按照“多子少子”解释，guardring的PN结区就是势阱了，必然可以有效降低热噪声和1/f噪声水平，请问实际中guardring是否起到了这个效果？
作者: ygyg100 时间: 2014-8-29 14:07
回复 42# hszgl
guardring是用来降低器件与器件之间或区域与区域之间的干扰的，就是防止这个地方的噪声影响另一个地方。热噪声和闪烁噪声可以认为是无处不在的，local的，guardring对这两个噪声是无能为力的吧？没有仔细看过关于这两种噪声的理论，只是我的感觉。
作者: hszgl 时间: 2014-8-29 14:59
回复 43# ygyg100
你深入了解一下吧。guardring实际是利用了PN结的电容，正电荷多的地方自然负电荷会被很快吸附掉。多子少子只是在半导体这个特殊场合用于指代正负电荷。
作者: dinggo 时间: 2014-8-30 10:41
回复 42# hszgl
热噪声和闪烁噪声是器件本身噪声，参照拉扎维《模拟CMOS集成电流设计》第七章，不在我们的讨论范围内。我们谈论的噪声是背景噪声
作者: dinggo 时间: 2014-8-30 11:10
回复 41# hszgl
pcb级上，你的理论绝对正确。SOI 工艺上你的理论也是成立的。但在反偏二极管隔离的半导体集成电路工艺上（就是我们常用的集成电路工艺）你的理论则无法成立了，光相同的NWELL隔离，接电位与不接电位在相同的距离接收到的电流差异就是你的理论无法解释的硬伤，在实际产品的宏观结果就是在相同的NWELL隔离接电位与不接电位变现出来的latch-up结果差异，ESD DEVICE的NWELL隔离在NWELL与NDIFF不同距离下表现出来的ESD结果则再次说明了IC环境下多子少子理论的重要性（参考柯明道的paper）。
作者: dinggo 时间: 2014-8-30 11:13
回复 46# dinggo
我这里面提到的建模结构与测试结果都是在我40楼提到的资料里能够找到的，结果还是被忽略了。
作者: dinggo 时间: 2014-8-30 11:17
本帖最后由 dinggo 于 2014-8-30 11:18 编辑
回复 41# hszgl
pcb上可没有多子少子，都是电子，金半接触我想你应该是知道的吧，就不多说了。
作者: hszgl 时间: 2014-8-30 11:33
回复 45# dinggo
器件本身噪声，没错。你会强调这一点说明没看懂我说“势阱”是什么意思。
作者: hszgl 时间: 2014-8-30 11:37
回复 46# dinggo
接电位和不接电位电场一样么？电场不一样电流还一样那是你突破自然规律了。你确定你明白自己在说什么？
作者: 344567112 时间: 2014-10-13 17:14
个人觉得楼主的解释更实用，尤其是对于不是微电子专业出身的，只要你懂电路就很容易理解。对于多子少子解释比较适合微电子专业教学时使用，不用多子少子去解释，怎么算微电子专业的教学。
作者: 仿真小助手 时间: 2014-10-14 13:04
design VS layout好玩哈哈哈， 我能说layout被碾压了么？
作者: xxmule 时间: 2014-10-14 13:20
你可以这么说
design VS layout好玩哈哈哈， 我能说layout被碾压了么？
仿真小助手 发表于 2014-10-14 13:04
作者: wswy 时间: 2014-10-14 20:45
真是给design丢脸，还好意思说碾压。是觉得layout都是非半导体专业出身？fuyibin和hszgl的半导体物理老师出来说说，怎么教的学生。
作者: wswy 时间: 2014-10-14 20:50
回复 51# 344567112
做为微电的学生，自己反思一下半导体物理学懂了没。
作者: wswy 时间: 2014-10-14 20:59
Dinggo讲的不错，就是有人揣着糊涂当明白
作者: fuyibin 时间: 2014-10-15 10:04
本帖最后由 fuyibin 于 2014-10-15 10:08 编辑
真是给design丢脸，还好意思说碾压。是觉得layout都是非半导体专业出身？fuyibin和hszgl的半导体物理老师出 ...
wswy 发表于 2014-10-14 20:45
那你让半导体物理老师做颗chip来试试。不要认为别人都不懂什么半导体物理，不懂什么多子少子理论
可是华而不实的东西又有什么用呢，拿着这套理论出来装高深又有什么意义呢
这对于具体设计和产品没有帮助。我们需要的是简单快速，可以量化估计的方法。
反正还是那句话，尽量避免那些虚头巴脑的东西，追求简单实用，大巧不工。
作者: 荣耀3C 时间: 2014-10-15 14:12
回复 57# fuyibin
说得好啊啊！！
作者: wswy 时间: 2014-10-17 07:52
回复 57# fuyibin
你这话就像在说，基尔霍夫已经够了，麦克斯韦什么事也干不了。你所谓的电阻，无非是多子少子理论里的一部分，另一部分就被你扔了。只是因为你最近在做rf，就觉得其他部分没用。过两天做别的了，是不是又可以发贴，layout，你们别用什么电阻理论了，xx现象都解释不了。
看你几年前发贴问问题还挺谦逊，这几年的口气越来越大，把新手都带阴沟里了还洋洋自得。
作者: fuyibin 时间: 2014-10-17 10:10
回复 fuyibin
你这话就像在说，基尔霍夫已经够了，麦克斯韦什么事也干不了。你所谓的电阻，无非是多子 ...
wswy 发表于 2014-10-17 07:52
呵呵，我只是就事论事而已，给大家提供简单实用的方法
用载流子理论解释没有问题，不过尽限于解释，多实际操作没有帮助
再说回来，画layout需要把固体物理半导体物理搞这么明白么？能明白最好，不明白公司也不会少给一分钱
不过发现学微电子似乎都有一份孤傲，端着曾经学过的经典理论不肯放，即便现在没什么用处
作者: kopzinc 时间: 2014-10-17 10:33
回复 60# fuyibin
不要争这些啦，都是虚名，能自圆其说就好，有自己的理论体系总比没有好啊。
作者: zsmic 时间: 2014-10-17 14:20
你是 傅懿斌 吗～ 之前在无锡华大国企科技那个～
作者: zsmic 时间: 2014-10-17 14:21
回复 60# fuyibin
你是 傅懿斌 吗～ 之前在无锡华大国奇科技那个～
作者: fuyibin 时间: 2014-10-17 15:41
回复 63# zsmic
太草率了吧...，要确认也站内私信吧
作者: zsmic 时间: 2014-10-17 16:48
回复 64# fuyibin
这个网站不熟悉 不好意思啊～咋发私信啊
作者: fuyibin 时间: 2014-10-17 17:51
回复 65# zsmic
你不会把帖子重新编辑一下么？
作者: humanzhli 时间: 2014-11-4 13:04
学习学习
作者: 上海大学 时间: 2015-1-16 09:55
很不错的topic
作者: xxtop 时间: 2015-1-16 21:16
涨姿势啦啦啦
作者: duke_wang 时间: 2015-1-18 16:29
公说公有理,婆说婆有理,想想全有理,其实全没理
作者: memcad 时间: 2015-2-26 21:44
回复 1# fuyibin
nwell深，可以较好隔离。guard ring主要防latch-up，防噪声主要靠拉开距离。
作者: semico_ljj 时间: 2015-3-13 11:20
作者: tedious 时间: 2015-3-15 12:25
ding ding
作者: camusaaron 时间: 2015-3-26 09:50
楼主跟我差不多，质疑的不要以为有什么破书就了不起。
不过楼主是不是忽略了个东西，p-sub下面是什么。。。。
作者: leo2leo 时间: 2015-5-11 15:17
啊。看完了。我正看的过瘾呢。不是每个做版图的都很清楚每一个概念。不是每个做电路的都很清楚每一个概念。不是每一个搞器件的都很清楚每一个概念。我也觉得的什么时候这个器件物理啊，版图啊什么的。有没有办法在哪一天搞的傻瓜化一点。像傻瓜相机一样。拿着就能拍。这样多好。
作者: xiaobaiyangESD 时间: 2015-5-18 11:37
多子少子说法是本质的物理的解释，低阻通路，噪声电流的说法是抽象到电路层次。大同小异，只是站的角度和高度不一样，要理解本质，还是要懂物理》
作者: pennyxm 时间: 2015-12-2 22:30
正所谓理不辨不明吗！
其实能举几个具体的例子来分析，不是更实用，更能说明问题！
作者: yiluqing 时间: 2016-4-13 15:16
回复 1# fuyibin
以前确实没想过这个问题，确实只是记得nmos外围nwell环吸收少子电子，pmos外围p+环吸收少子空穴。看到你的帖子才猛然想起这个保护环的实际效果与画法，感觉有点矛盾呢，以下是个人的感性见解，见笑之处还请见谅：
1、电路中，反偏二极管确实只能通过极小的电流，由此推得P衬底上的NWELL保护环不会吸走很大的电流，也就是不会吸收很大的衬底噪声（电子）。
2、根据NPN工作原理，在BE结正偏BC结反偏的情况下BC反偏PN结是可以收集较大的电子电流的。
3、呵呵，这两个好像有点矛盾啊！
4、不过，再想想，反偏保护环应该是可以流过大电流的吧，要不为什么有时候还会强调保护环的低阻特性，因为若是高阻电流稍大的话就有可能使PN结正偏了，芯片岂不是很危险了。
作者: hadeheng 时间: 2020-4-24 12:12
get了，楼主再来些其他主题的干货。
作者: zhao!!! 时间: 2020-8-17 17:22
大神级讨论，精彩
作者: mary1103 时间: 2020-11-4 21:55
学习了
作者: 1颗白菜 时间: 2020-11-16 15:37
收藏 学习
作者: 此系封 时间: 2021-9-9 08:58
楼主您好，想请教您一下，虽然NP反偏耗尽，但是就跟三极管的集电极和基极的关系一样，应该也可以将电流用强电场吸过去塞。这样解释有没有问题呢？谢谢！
作者: danglizhinian 时间: 2021-9-22 15:57
看来楼主是做电路设计的
作者: balam2017 时间: 2022-1-26 16:35
第4点已经讲到环的具体层次和连接方法了，期盼哪位大大来举几个实例，谢谢
作者: 胖瓜子 时间: 2022-9-6 16:38
学习了
作者: 深耕逻辑 时间: 2022-9-7 09:01
学习学习
作者: note30933 时间: 2022-9-7 10:25
谢谢分享
作者: u12u34 时间: 2022-9-7 19:06
多多益善 都学习学习
作者: Andyou 时间: 2022-11-3 16:22
神仙打架 真刺激
作者: Andyou 时间: 2022-11-3 17:02
那时月薪3000
作者: 知命无畏 时间: 2023-3-19 13:03
牛，希望多一些这样水平的讨论
作者: applejjzlj 时间: 2023-3-20 14:51
围观大佬们的详解！
作者: jiyue 时间: 2023-5-9 10:09
学习学习
作者: chyi1209 时间: 2023-7-19 14:43
学习学习
作者: GAOLUZONGDUJYH 时间: 2023-7-19 15:19
作者: Skyfall$ 时间: 2023-8-1 14:33
学习学习
作者: Ming忄zhe 时间: 2023-8-3 13:00
学习学习
作者: 空欢 时间: 2023-8-10 15:38
那电容需要用那种guard ring隔离
作者: b50714006 时间: 2023-11-4 00:56
fuyibin 发表于 2014-6-19 15:11
回复 12# gaojun927
少子多了反偏pn结就有电流了？
所以PN结掺杂浓度越大 越容易击穿，可以和实际情况圆起来
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