EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

标题: 关于上华BCD工艺的几个问题 [打印本页]

作者: 173660575 时间: 2013-11-12 20:17
标题: 关于上华BCD工艺的几个问题
( , 下载次数: 126 ) 图一

图一为上华0.5um BCD工艺VGS=5V VDS=25V对称HVMOS管。
问题一：管子的GATA 下有一层HN，请问这层的作用是啥？为什么对称HVPMOS gata下没有类似的一层？（见图红色圈内）
问题二：漂移区的NG的作用是啥？（左边蓝色圈内）
问题三管子的宽度为什么按漂移区的N+来算而不是按漂移区来算？

( , 下载次数: 126 )

图二

图二为不对称HVNMOS管
问题四：不对称管子的源端为什么要做P_body？作用是啥？

问题五：为啥高压管的源漏端之间的gata下都有active？

作者: 173660575 时间: 2013-11-12 20:18
求前辈们指点一二，先谢谢了

作者: 173660575 时间: 2013-11-12 20:19
求前辈们指点一二，先谢谢了！！！

作者: 173660575 时间: 2013-11-12 20:21
求前辈们指点一二，先谢谢了

作者: 173660575 时间: 2013-11-12 20:22
标题: RE: 关于上华BCD工艺的几个问题
求前辈们指点一二，先谢了！！！！

作者: 814205556 时间: 2013-11-13 09:16
跟你们的器件拿下结构图你问他们就行了纵向的结构图才能讲的清楚原理

作者: xiaowanzi88 时间: 2013-11-13 09:32
没做过工艺，你永远不懂。Vh控制？Gate耐压？源漏耐压？衬底隔离？Delta W&L控制？......................

作者: loopgain 时间: 2013-11-13 11:30
贴器件截面图更清楚。
加NG，为了提高耐压、减小导通电阻。
P-body为沟道吧

作者: 魍魉12300 时间: 2015-7-10 18:10
回复 1# 173660575

你好，楼主能发一份BCD0.5um的工艺库文件？我学习用，谢谢。275063748@qq.com

作者: 魍魉12300 时间: 2015-7-10 18:11
你好，楼主能发一份BCD0.5um的工艺库文件？谢谢。我学习用275063748@qq.com

作者: IYU 时间: 2016-1-15 11:28
楼主，图二是个DMOS管吧，左右两端是同一个端口D端。GATE中间的源区是它的S端和B端

欢迎光临 EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) (https://bbs.eetop.cn/)