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标题:
Cascode MOS管的优点之一:能减小密勒效应。这是真的吗?
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作者:
zwtang
时间:
2013-10-19 16:56
标题:
Cascode MOS管的优点之一:能减小密勒效应。这是真的吗?
本帖最后由 zwtang 于 2013-10-23 22:42 编辑
什么是密勒效应?密勒效应在传递函数上的表现是什么?
大家先来明确一下问题,然后再来严谨推导。推翻这个弥天大谎!
反驳的人可以收集现有中英文教材中关于Cascode MOS管减小密勒效应优点的论述。
如果这个弥天大谎是真的话,以后我们还是多进行严谨推导,不要“自我想当然”进行大段无力的文字论述。
zwtang
2013/10/19
传递函数推导及极点分析,
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zwtang
2013/10/20
结论:
CL很大时,Cascode管不能减小密勒效应!
rds4很大时,Cascode管不能减小密勒效应!
rds4很小(=rds)时,Cascode管能够减小密勒效应!
zwtang
2013/10/23
作者:
wswy
时间:
2013-10-19 17:09
为啥要收集论述来反驳?我还没明白lz这个问题想问什么,要是知道想问什么,何必收集论述呢?直接去证明或者证伪不就行了,毕竟微电子领域还用不到什么高深的数学物理知识。
作者:
xyn777
时间:
2013-10-19 18:44
前提条件啥都没说,不好讨论。
米勒定理差不多是模电理论中,最容易误解、最容易出错的一个。
作者:
jxjxhwx
时间:
2013-10-19 19:42
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作者:
zwtang
时间:
2013-10-19 20:05
http://bbs.eetop.cn/thread-423261-1-2.html
这个帖子就是在讨论Cascode MOS管的密勒效应。
Cascode MOS管能减小密勒效应,这个结论正确吗?
Input cascode MOS管有必要吗?这真的能减小差分输入对管的寄生电容Cgd的密勒效应吗?
zwtang
2013/10/19
作者:
jxjxhwx
时间:
2013-10-19 20:10
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作者:
zwtang
时间:
2013-10-19 20:15
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6#
jxjxhwx
Cascode MOS管能减小寄生电容的密勒效应。这个结论,都有哪些中英文教材中提到?他们是如何解释的?
如果有兴趣,都把它们找出来。
zwtang
2013/10/19
作者:
jxjxhwx
时间:
2013-10-19 20:23
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作者:
344567112
时间:
2013-10-19 20:36
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见图,拉扎维第六章P153
作者:
jxjxhwx
时间:
2013-10-19 20:56
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作者:
xjf20072608
时间:
2013-10-19 21:12
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10#
jxjxhwx
增益的大小应该不影响米勒效应,跷跷板效应。只是那个表示米勒效应的公式在某些情况下不是那么简单,加了米勒电容之后需要不破坏原来的电路情况
作者:
jxjxhwx
时间:
2013-10-19 21:15
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作者:
zwtang
时间:
2013-10-19 21:16
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10#
jxjxhwx
普遍认为,密勒电容会在前一级形成大电容,等效电容大概为Av*Cgd,Av为直流增益,Cgd为栅源寄生电容。如果能够减小Av的大小,密勒效应就能减小。
上述分析是基于什么得到的呢? 是不是输入输出传递函数上存在低频极点:1+s(Av*Cgd*Rs)=0。这样才认为Av*Cgd是等效大电容。其中Rs为前一级输出阻抗或者信号源阻抗。
现在命题出现了:如果增加Cascode MOS管后,输入输出传递函数中(1+s(Av*Cgd*Rs))项保持不变,这样是否可以得出密勒效应保持不变。
先到这里。如果大家都认可,我们继续往下分析。最终,我们要完成严谨小信号推导来加以证明。
zwtang
2013/10/19
作者:
jxjxhwx
时间:
2013-10-19 21:28
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作者:
zwtang
时间:
2013-10-19 21:38
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14#
jxjxhwx
可以这样理解。
input cascode管是画蛇添足,没有意义。而且其偏置很困难,增加了设计难度。唯一的好处就是进一步增大了直流增益值。
zwtang
2013/10/19
作者:
jxjxhwx
时间:
2013-10-19 21:44
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作者:
hezudao
时间:
2013-10-19 22:05
普遍认为,密勒电容会在前一级形成大电容,等效电容大概为Av*Cgd,Av为直流增益,Cgd为栅源寄生电容。如果能够减小Av的大小,密勒效应就能减小。
谁说的av是直流增益,还普遍认为,看看那帖子里的回复,在gbw以内没有足够的增益,还谈什么miller等效
作者:
zwtang
时间:
2013-10-19 22:12
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17#
hezudao
我是指在分析得到密勒效应形成的极点值时,Av就是直流增益。当然,你指的是随着频率变化,Av(s)增益减小了,密勒效应减弱。
这些讨论都不是主要问题。
现在的问题是,Cascode MOS管是否真的能减弱密勒效应?如何判断是减弱了?
zwtang
2013/10/19
作者:
math123
时间:
2013-10-19 22:22
本帖最后由 math123 于 2013-10-19 22:35 编辑
格雷《模拟集成电路的分析与设计》7.3.4节《cascode放大器的频率响应》有讲到cascode与共源相比总体来说有很好的高频特性,输入管的密勒效应小得多。
作者:
344567112
时间:
2013-10-19 22:46
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10#
jxjxhwx
米勒效应和增益大小没有关系吧,误差来源是平时我们都是用低频增益去近似的。
作者:
jxjxhwx
时间:
2013-10-19 22:53
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作者:
hezudao
时间:
2013-10-19 22:55
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18#
zwtang
你这个主要问题前面帖子不是已经很清楚了,非常低频有点作用,稍微高点频率就无用,至于想用miller 等效算和前一级构成的极点可就真无从说起了,输入阻抗非电容电阻的,硬要等效成一个电容,,,,
作者:
zwtang
时间:
2013-10-19 23:09
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22#
hezudao
非常低频也没有密勒效应。这个与直流增益很高没有用相类似。
因为没有运放会是开环使用,闭环状态下,环路增益会使得Cascode MOS管S端看过去的阻抗非常的低。
zwtang
2013/10/19
作者:
hezudao
时间:
2013-10-19 23:17
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23#
zwtang
闭环显然没用,,,为啥不能开环做个comparator,,,, 不过即便是comparator,也没什么显著作用,,,
作者:
gaojun927
时间:
2013-10-21 09:17
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23#
zwtang
也不能只考虑opa,单管放大也是存在的。
作者:
semico_ljj
时间:
2013-10-21 10:20
M...
作者:
零点小豹
时间:
2013-10-21 10:25
看见你的ID,你该不会是重邮的老师,老唐吧???
作者:
gaojun927
时间:
2013-10-21 12:02
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1#
zwtang
假如你的符号计算是正确的,那在cgd大,cl小且存在cascode的情况下还可以区分rds4是高阻还是低阻,如果rds4只是普通输出阻抗,你的简化就有问题了。
作者:
lwjee
时间:
2013-10-21 13:22
CS中,Cgd两端的增益为Av(Total gain),米勒效应产生的极点为1/(Rs*(1+Av)*Cgd);
Cascode中Cgd两端的增益为Av1(M1 在M1 drain端产生的gain),米勒效应产生的极点为1/(Rs*(1+Av1)*Cgd);
如果Total gain相同,则Av1<Av,所以Cascode减小了Cgd的米勒效应。
明显有一个输入小信号波动,在两种结构中OUT点的波动相同,Cascode M2 source波动更小,所以米勒电容小。
LZ可以搭个模型仿真下。
作者:
onepieceligen
时间:
2013-10-21 14:28
唐教授肯定精通RFIC的,在LNA面前这些都是浮云吧。。其实就是reverse isolation的问题。如果非得追求这一特性,使用common gate也许更好,压根就没有miller effect了。
我还有一点拙见,就是既然想严格的推导极点,那教授最后两页的PPT最好能有一个精确的d,2nd pole expression 然后再近似。因为一个大于号小于号,已经忽略掉了很多问题。
Regards,
Justin
作者:
344567112
时间:
2013-10-21 16:41
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29#
lwjee
M2的源端波动小确实能说明把Cgd等效到输入端的电容小了,但这是否能说明对于输入到输出的传输函数,你减弱了这个米勒效应对输出极点的的影响。唐老师之所以推导就是想让大家看下到底这样做,对传输函数有什么影响。如果没有产生影响,这个米勒效应减弱是什么意思,它的意义呢?
作者:
344567112
时间:
2013-10-21 16:42
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27#
零点小豹
。。。不好意思,他是复旦的唐老师,不是重邮的。
作者:
hezudao
时间:
2013-10-21 19:14
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30#
onepieceligen
Rfic里面最简单的就是lna了吧
作者:
hszgl
时间:
2013-10-21 20:02
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33#
hezudao
大佬,今天相当活跃么~
作者:
hezudao
时间:
2013-10-21 20:03
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34#
hszgl
怎么又看我不顺眼,又想'打我脸'?
作者:
hszgl
时间:
2013-10-21 20:07
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35#
hezudao
表紧张,打个招呼而已~虽然都有挥手的姿势~
作者:
onepieceligen
时间:
2013-10-21 20:19
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33#
hezudao
你说的 “RFIC里面最简单的就是LNA” 这句话似乎跟我说的没什么关系呀。我只是说LNA比普通的OTA设计起来要难上手而已。
为了避免口水,
一千个读者一千个哈姆雷特。我觉得RFIC和Analog各有千秋吧。
作者:
lwjee
时间:
2013-10-21 20:27
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31#
344567112
讨论的命题是减小米勒效应。减小了米勒效应就减小了输入极点。
作者:
344567112
时间:
2013-10-21 21:53
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38#
lwjee
因为极点都要表现到输出,如果唐老师推导没问题的话,这个米勒效应在输出没表现的话,你的输入极点表现在输出的极点是多少呢?我是新手,我只是说下我的看法。。。
作者:
344567112
时间:
2013-10-21 21:57
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33#
hezudao
唐老师在射频方向还是很厉害的,年纪轻轻就发了两篇ISSCC,我知道你也很牛,也许在你眼里不算什么。但从模拟新人的角度,看到的更多的你对其他人的不屑,既然你是这么有经验这么厉害的模拟工程师,你觉得别人发的帖子水平都不怎么样,那你能不能发一些对我们这些新人有价值的东西呢?
作者:
hezudao
时间:
2013-10-21 22:39
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40#
344567112
我好像也没说他不厉害吧,,,我好像回技术贴也不少,能领悟多少就是你的问题了。
作者:
vdslafe
时间:
2013-10-22 01:28
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41#
hezudao
我觉得还是你厉害!
作者:
lwjee
时间:
2013-10-22 09:00
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39#
344567112
极点都要表现到输出,怎么这么讲呢,零极点表现在整个信号通路上。唐老师使用了近似,这种近似合理吗,会不会丢失一些重要信息呢?
作者:
duqian88
时间:
2013-10-24 01:19
有意思!
作者:
hszgl
时间:
2013-10-24 14:53
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41#
hezudao
突然想起来你很久以前说过要专门开个技术贴的,什么时候发呀?我和小伙伴们都翘首以待啊。。。
作者:
hezudao
时间:
2013-10-24 15:52
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45#
hszgl
看到你就没心情,,,
作者:
jiang_shuguo
时间:
2013-10-24 16:04
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46#
hezudao
作者:
hszgl
时间:
2013-10-24 18:28
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46#
hezudao
没事,我可以等到你有心情。
作者:
cndeusa
时间:
2013-10-25 09:59
没觉得hezudao大师说话有什么不屑的意思啊,是不是有些人自己的心理也。。。
作者:
crown911
时间:
2013-10-25 15:47
cascode管从源端看进去阻抗很低吧,所以共源极的米勒效应可以忽略。
作者:
xjf20072608
时间:
2013-10-25 16:13
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50#
crown911
不一定
作者:
crown911
时间:
2013-10-25 16:34
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51#
xjf20072608
请解释一下
作者:
lgy747
时间:
2013-12-5 09:33
唐教授在最后化简时有问题,“当Cgd小,CL大时”是一个非完备性条件,是不能化简到最后结果的,下图我用红色标注了结果的矛盾性。
( , 下载次数: 140 )
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实际上,应该将Rs*Cgd和Rout*CL作为化简条件,而不是单纯的Cgd,CL,rds,最后结论就是:
当Rs*Cgd>>Rout*CL时(输入为主极点),Cascode管能减小密勒效应
当Rs*Cgd<<Rout*CL时(输出为主极点),Cascode管不能减小密勒效应
作者:
apac
时间:
2014-1-19 22:36
學習了, 太感謝了
作者:
widlarfan
时间:
2014-1-20 03:30
Cascode structure was inherited from vacuum tube time.
作者:
xiaowanzi88
时间:
2014-1-21 09:58
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1#
zwtang
唐老师:
您好!
看了您的分析,我觉得从理论上分析cascode MOS对于减小米勒效应的效果是有限的。
从工程上的经验看,我感觉减小米勒效应的情况有几种:
(1)调零电阻如果超过2~3倍的MOS增益,米勒效应减小。直观上看,相当于对米勒电容起到过大限流的作用。
(2)米勒电容的上下极板的接法问题,考虑下极板和衬底寄生的电容存在,将PIP电容下极板接在CS结构的MOS Drain可以弥补寄生电容对补偿效果的干扰,反之,寄生电容相当于分压的效果,减小了米勒效应。
(3)如果是poly-nwell电容,nwell端接CS结构的MOS Drain,即高阻节点,可能存在并引起的寄生PNP管对沉底拉电流,这个米勒电容大大地减小。
考虑以上几种情况,想和您讨论一下从理论上分析的合理性。听听您的意见。
谢谢
作者:
jxjxhwx
时间:
2015-4-2 22:18
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作者:
孤独的男巫
时间:
2015-4-3 10:50
能不能减小米勒效应,去仿真试一试不就行了,试过的都说行,还有,偏工程一点,别太考虑那些不太实际的情况
作者:
quhuaibo
时间:
2015-4-3 11:04
good material
作者:
shenlansee
时间:
2016-10-18 10:14
谢谢,大家一起分析
作者:
gb788
时间:
2019-7-6 09:50
其实说白了就两种情况,第一个是输出挂了大电容导致主极点主要取决于输出,第二种是共栅管漏端有大电阻,导致miller电阻的时间常数受大电阻影响。
作者:
IC543031546
时间:
2019-7-7 17:47
谢谢分享
作者:
罗浣
时间:
2022-7-25 11:07
344567112 发表于 2013-10-21 21:57
回复 33# hezudao
唐老师在射频方向还是很厉害的,年纪轻轻就发了两篇ISSCC,我知道你也很牛,也许在你眼 ...
个人认为,只要是针对问题在讨论的话,言语中的情绪无伤大雅,并不值得你这样阴阳怪气玻璃心吧。
难道讨论问题就一定要阴阳怪气,温文尔雅吗,那样有时候容易因为温文尔雅错漏细节,或者和稀泥吧,我反倒觉得针锋相对地讨论技术问题很好啊,又不是说人家这些大佬在生活中也那么咄咄逼人不是吗?
作者:
ictrh
时间:
2022-8-10 10:52
我想问下一直说cascode相对CS放大器的增益更大,但是cascode结构提高增益不是通过提高输出电阻提高的吗,在射频需要阻抗匹配的情况下我觉得两者增益应该差不多啊,有没有大佬解惑
作者:
leejohannes
时间:
2024-10-30 20:23
谢谢唐老师
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