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标题: top metal用什么比较好 [打印本页]

作者: silverpuma 时间: 2013-9-27 17:57
标题: top metal用什么比较好
一般工艺里面top metal用AL好还是Cu好？这两者的主要区别在哪里？还有就是对PAD打线有无影响？

作者: lymrlym 时间: 2013-10-11 06:11
一般是AL吧，这个对封装比较普通。铜就不清楚了。

作者: feyme 时间: 2013-10-13 11:01
Al, 某些Power Device里有Cu的，具体不清楚

作者: silverpuma 时间: 2013-10-14 09:37
回复 3# feyme

你的意思是，top metal里面 Al和Cu 可以同时存在的么？

作者: feyme 时间: 2013-10-15 13:17
回复 4# silverpuma

好像没有同时存在的吧
使用Cu pad非常少见，有Cu线-Cu pad的键合

作者: silverpuma 时间: 2013-10-15 15:28
回复 5# feyme

那使用Cu pad很少的原因是什么呢？谢谢先！俺是这方面的新人，不懂啊

作者: oitop 时间: 2014-7-10 12:22
回复 6# silverpuma

似乎是Cu和Au线会有啥化学反应

作者: sjzdzzgc 时间: 2014-7-18 10:52
这是由工艺决定的，比如umc180n工艺metal都是AL
tsmc55n工艺metal是CU 顶层时AL

PAD一般都要求是AL PAD

作者: shi6091591142 时间: 2014-7-22 10:42
顶层一般用al，cu一般是连接std cell via以及pin什么的，top层一般走的是vss和vdd，clock用al比较好。。。

作者: tilin 时间: 2014-9-5 14:22
回复 6# silverpuma

铜能在硅中很快扩散，也能在二氧化硅中扩散，而且对铜很难刻蚀。

作者: pph_cq 时间: 2014-9-18 09:35
power device顶层有用铜的，因为铜的电阻小

作者: bella427 时间: 2018-10-17 14:14
回复 8# sjzdzzgc

请教一下CU制程，上面的AL PAD怎么做的？在TOP CU上面DEP IMD，做VIA, 再DEP AL？

作者: bella427 时间: 2018-10-26 11:19
那请问CU 制程的AL PAD怎么做的？上面IMD，在DEP AL?

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