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标题: 关于mos in nwell 电容 [打印本页]

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-25 14:50
标题: 关于mos in nwell 电容
大家有人用过mos in nwell 电容么？这个电容的电压系数怎么样？

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-25 16:34
没人能谈谈mos in nwell电容么？

作者: silverpuma 时间: 2013-4-25 17:11
回复 1# jiang_shuguo

和PMOS三端接地做电容有什么区别呢？

作者: nature19900303 时间: 2013-4-25 17:34
就是PMOS电容吧！

作者: jeff_zx 时间: 2013-4-25 17:53
本帖最后由 jeff_zx 于 2013-4-25 17:58 编辑

回复 1# jiang_shuguo
( , 下载次数: 68 ) ( , 下载次数: 66 )

上边的是NWC，下边的是PMOS

一个只能积累
一个既可以积累也可以反型

作者: kwankwaner 时间: 2013-4-27 11:38
回复 1# jiang_shuguo

看老T的lecture4，A-MOS电容

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-27 11:58
谢谢大家的回复，没有很了解的啊，都没我了解的多呢。我只想寻求下用过的人。

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-27 11:59
回复 6# kwankwaner

你给我发一个吧，我没有。谢谢

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-27 12:00
我叙述的不够清楚，是nmos in nwell 电容。我想了解该电容的电压特性，即电压系数。

作者: kwankwaner 时间: 2013-4-27 12:15
回复 8# jiang_shuguo

没有？我也没有，你网上搜搜吧

作者: hezudao 时间: 2013-4-27 14:17
回复 9# jiang_shuguo

一访不就什么都出来了，

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-27 14:45
回复 11# hezudao

哥，我有那么笨么？能仿出来我不仿啊。这个东西工艺厂没有model的，我们根据工艺自己做的，比pip电容省面积。仿真用的是自己做的nmos ni nwell电容PDK，也就是理想的东西。

作者: hezudao 时间: 2013-4-27 18:29
回复 12# jiang_shuguo

哥，你觉得我告诉你一个我用的你有用吗？或者别人告诉你一个有用吗？

作者: wcanrich2000 时间: 2013-4-27 21:12
单纯MOS 电容的电压温度系数都不够好，可以考虑补偿结构。e.g Full compensated Depletion-Mode MOS-Capacitor for pure digital technology low voltage switched-capacitor applications
为啥不用ploy 电容

作者: ericking0 时间: 2013-4-27 21:54
本质上就是一个MIS电容
可以理解成一个耗尽管
阈值为负，可以理解成标准的MOS电容的CAP VS V曲线向右平移了
所以在整个正电压范围内都可以保持电容的线性
如果还想深入，可以看看半导体物理，MIS那章

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-27 22:53
回复 15# ericking0

谢谢啊，感觉你回答的靠谱，

作者: tfjim 时间: 2013-4-28 08:54
nmos in nwell 电容没有这种结构吧 ?? : 上极板是poly，下极板是NWELL

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-28 09:16
回复 17# tfjim

你没见过吧，呵呵。

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-28 09:33
回复 13# hezudao

你真的是我哥，我是你弟。你告诉我怎么搞瞬态噪声。在某个帖子看你说过。

作者: hitzhabc 时间: 2013-4-28 09:59
回复 1# jiang_shuguo

这种结构一般不建议用，因为电容值和两端电压有很大的关系，工作点控制不好，电容变化范围比较大。
电容最大值和最小值的比值接近3。最大值基本上按照栅氧电容的大小估算，差别不大。
这种结构一般用来做可变电容的，一般工艺已经不做这种结构，所以只能自己摸索参数。做可变电容的话有更好些的结构，只是也没有model。
另外，术业有专攻，不知道这个东西并不等于人家没有能力...

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-28 10:10
回复 20# hitzhabc

猜你没毕业

，这种结构你都不知道我用哪两个层次产生电容。我是想问用过的人，没用过的都是瞎猜。

作者: 蓝翔 时间: 2013-4-28 10:25
回复 18# jiang_shuguo

jiang，这个其实就是varactor，做VCO时会用到，电容随着VGS是单调变化的，不过的确电容随电压变化较大，我觉得作为补偿电容用着可以，但要是用作信号处理，失真可能会大，给你提供一个仿真的图形，这是SMIC提供的model，图中给出的是C随VGS的变化，是倒置并联的两个varactor的C-V曲线，尺寸时100*6.其实用的时候可以用两个倒置的varactor并联，这样的到的电容随电压的变化会比较小，这个电容我用到过LDO的补偿中过，还凑活，能工作 ( , 下载次数: 93 )
理论方面。你可以参考一下RAZAVI的 RF microelectronics P486，我用的是打印版的，呵呵

作者: hitzhabc 时间: 2013-4-28 10:41
回复 21# jiang_shuguo

这么大的火药味来请教别人？你啥都会为啥还要问别人呀？我告诉你，我用过，而且跟你说了，还有更好的结构或者复合结构。电容变化范围约等于4。至于你想用哪个层次那是你的事。就算你发明了什么新的结构和别人也没啥关系。。。如果仅仅是在nwell里面做noms，也不过如此而已...22楼的蓝色曲线接近这个电容的变化曲线，你可以参考下。

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-28 10:53
回复 23# hitzhabc

呵呵，不好意思啊。谢谢啊

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-28 10:59
回复 22# 蓝翔

老同学给的解答好啊，我猜也是电压系数大，我怕的也是这个。你知道吗，用这个电容产生零点也倒还好，只要负载变化对该电容的静态点影响较小时。但是我的电路里面有个节点静态点用是随负载变化较大的，而且该节点用这种电容是推低第二极点的，他的位置对稳定性影响较显著。就等着出来看结果了，没有model完全是蒙了，margin都没法留，有个model还好能留个大点的margin。出来看运气了。
你现在搞VCO了？

作者: hitzhabc 时间: 2013-4-28 11:11
回复 24# jiang_shuguo

也没什么。这个电容结构以前用的多，主要是省面积。再就是特殊需要，在频率产品里面用的多（pll或者rf），用作可变电容。比较难控制的是线性度，就是控制电压变化和电容值变化是非线性的。再就是电容变化的范围，在这些应用里范围越大越好。日本很多公司有自己的生产线，可以在这些方面精确调整，比较厉害。我们只能用现有的工艺，所以支持上差很多，只能自己想办法，比如没有model。现在多数人都习惯于pip或者mim电容，宁可面积大些...所以在电源电压变化范围比较大，或者工作点不好控制的时候，尽量别用。再就是电容变化三四倍无所谓的场合，确实省面积。好像见过有人研究给这种结构建模的，没有深究。我自己用都是在某些model基础上修改，然后流片测试，再修改...

作者: 蓝翔 时间: 2013-4-28 11:12
回复 25# jiang_shuguo

没搞VCO，上次用varactor时查了一些资料。。。既然这样为什么不用pip电容呢？我记得UMC好像提供pip电容，你要用作补偿的话，用的电容应该不会很离谱，应该不会占多大的面积吧？

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-4-28 11:15
回复 27# 蓝翔

是啊，经理那我的做实验啊！我用的PIP是不大。我就是个试验品！

作者: 蓝翔 时间: 2013-4-28 11:17
回复 28# jiang_shuguo
老崔？呵呵。。没事。。既然是试验品就试验呗，出了问题肯定你的罪过不算大。。总有人得吃吃螃蟹

作者: shaq 时间: 2013-5-1 21:49
这种电容适合用在 current-mode buck 的 OTA 回路补偿吗？

作者: confiope 时间: 2013-5-2 08:31

回复 jiang_shuguo

这种结构一般不建议用，因为电容值和两端电压有很大的关系，工作点控制不好，电容变 ...
hitzhabc 发表于 2013-4-28 09:59

登录/注册后可看大图

非也,我只用这种电容,因为能省版

作者: jiang_shuguo 时间: 2013-5-2 09:43
回复 31# confiope

你用这种电容时，有model么？

作者: newicing 时间: 2024-1-15 13:49

tfjim 发表于 2013-4-28 08:54
nmos in nwell 电容没有这种结构吧 ?? : 上极板是poly，下极板是NWELL

他的意思是varactor，类似于PMOS的源漏P+改成N+

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